چکیده: در تحقیق حاضر ترابرد اسپینی در یک دیواره حوزه مغناطیسی که در بین دو ناحیه فرومغناطیس با مغناطش پاد موازی قرار دارد مطالعه شده‌ است. معادلات پخش برای مولفه‌های انباشت اسپینی عرضی با استفاده از معادلات جنبشی در فضای ویگنر و پس از آن افت ولتاژ و مقاومت الکتریکی اضافی از انباشت اسپینی در دیواره مغناطیسی محاسبه شده است. نتایج به دست آمده نشان دهندة این نکته است که انباشت اسپینی عرضی از دو قسمت مستقل و وابسته به مکان تشکیل شده است طوریکه در دیواره‌های ضخیم انباشت اسپینی در داخل دیواره مستقل از مکان و در دیواره‌های نازک وابسته به مکان است (بجز در مرزهای دیواره). افت ولتاژ و مقاومت الکتریکی اضافی از انباشت اسپینی به صورت نمایی بر حسب ضخامت دیواره کاهش می‌یابد. سپس اثر جفت‌شدگی اسپین-مدار راشبا بر روی انباشت اسپینی و نتیجه آن بر روی مقاومت الکتریکی اضافی بررسی شده است. نتایج این بررسی نشان دهندة افزایش انباشت اسپینی عرضی و مقاومت الکتریکی اضافی تحت تأثیر این برهمکنش است.