چکیده: در این تحقیق تجربی به بررسی مورفولوژی سطح، خواص ساختاری، ترموالکتریکی، الکتریکی، اپتیکی لایه های نازک نانوساختار سولفید مس (CuS) در شرایط مختلف رسوب گذاری حمام شیمیایی (CBD) به منظور کاربرد در خواص فوتورسانایی پرداخته ایم. برای مشخصه یابی نمونه های سنتز شده از دستگاه های مختلف شامل: میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM)، پراش پرتو ایکس (XRD)، طیف سنجی رامان، طیف سنجی فرابنفش-مرئی (UV-Vis)، اثر سیبک و مشخصه یابی جریان ولتاژ (I-V) استفاده کردیم. به منظور تهیه لایه های نازک CuS از محلول آبی شامل: کلرید مس (CuCl2.2H2O)، تری اتانول آمین (TEA)، آمونیاک(NH3) ، سدیم هیدروکسید (NaOH)، تیوره (SC(NH2)2)، و آب مقطر استفاده شد. پارامترهای متغیر در این تحقیق عبارتند از: pH محلول و اثر بازپخت (بخش 4-2)، نوع زیرلایه (بخش 4-3) و غلظت محلول کلرید مس (بخش 4-4). بسته به شرایط رشد، تصاویر FESEM نمونه ها نشانگر شکل گیری دانه های کروی نسبتا یکنواخت با ابعاد کمتر از nm 100 بر روی سطح لایه می باشد. نتایج الگوی پراش پرتو ایکس و همچنین خواص ترموالکتریکی به ترتیب نشان دهنده ی تشکیل ساختار آمورف و رسانندگی الکتریکی نوع p در همه ی لایه هاست. معلوم شد که در بین پارامترهای بررسی شده مقدار گاف نواری نمونه های تهیه شده بر روی زیرلایه های مختلف بخاطر اثر محدودیت کوانتومی ناشی ار تشکیل ریز دانه ها در لایه تغییر یافته است. همچنین دریافتیم که حساسیت فوتورسانشی نمونه ها عمدتا به مقدار گاف نواری و مورفولوژی سطح لایه ها بستگی دارد.