چکیده: در این تحقیق تجربی، به بررسی مورفولوژی سطح، خواص ساختاری، ترمو‌ الکتریکی، الکتریکی و اپتیکی‌ ‌نانوساختار‌های سولفید مس (CuS) در شرایط مختلف به روش رسوب گذاری حمام شیمیایی (CBD) پرداخته‌ایم. برای مشخصه‌یابی نمونه‌ها از: میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM)، پراش پرتو ایکس (XRD)، اثر سیبک، طیف‌سنجی فرابنفش ‌- مرئی (UV-Vis)، اثر سیبک و مشخصه‌یابی جریان - ولتاژ (I-V) استفاده شده است. به منظور تهیه لایه های نازک CuS از محلول سولفات مس (CuSO4.5H2O) به عنوان منبع یون های Cu2+، محلول آمونیاک (NH3) به عنوان عامل کمپلکس و از محلول تیوره (SC(NH2)2) به عنوان منبع یون‌های S2- استفاده شد. پارامتر های متغیر در این تحقیق عبارتند از: غلظت محلول سولفات مس و باز‌پخت (بخش 4-2)، دمای محلول (بخش 4-3)، مدت زمان لایه ‌نشانی (بخش 4-4) و سرانجام نوع زیرلایه (شیشه، ITO و FTO) (بخش 4-5). بسته به شرایط رشد، تصاویر FESEM نمونه ها نشانگر شکل گیری نانو دانه هایی با ابعاد میانگین کوچکتر از nm‌100 روی سطح لایه ها می باشد. نتایج الگوی پراش پرتو ایکس و همچنین خواص ترمو الکتریکی بترتیب نشان دهنده تشکیل ساختار آمورف، و رسانندگی نوع p در همه لایه هاست. همچنین معلوم شد، فرآیند بازپخت به افزایش تراکم نواقص شبه-پذیرنده در لایه ها منجر شده و این به نوبه خود بر خواص الکتریکی و اپتیکی نمونه ها از جمله طیف عبور و نیز گاف نواری آنها تاثیر می گذارد. همچنین دریافتیم در بین پارامترهای بررسی شده افزایش زمان لایه نشانی (2 تا 4 ساعت) سبب کاهش تراکم نواقص شبه-پذیرنده ها در نمونه ها می شود.