چکیده: در این تحقیق تجربی به بررسی مورفولوژی سطح، خواص ساختاری، الکتریکی، اپتیکی لایه‌های نازک نانو ساختار اکسید روی (ZnO) در شرایط مختلف رسوب‌گذاری حمام شیمیایی (CBD) به منظور کاربرد در فوتورسانایی نور فرابنفش پرداخته‌ایم. برای مشخصه‌یابی نمونه‌های سنتز شده از دستگاه‌های مختلف شامل: میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM)، پراش پرتو ایکس (XRD)، طیف سنجی رامان، طیف سنجی فرابنفش-مرئی (UV-Vis) و مشخصه یابی جریان-ولتاژ (I-V) استفاده شد. سنتز لایه‌های نازک ZnO شامل دو مرحله است: ۱- بذردارکردن زیرلایه شیشه، ۲- رشد لایه اکسید روی بر روی زیرلایه ی بذردار شده. در مرحله نخست از محلول استات روی دوآبه (Zn(CH۳ COO)۲.۲H۲O) و اتانول خالص، و در مرحله دوم از محلول نیترات روی شش‌آبه (Zn (NO۳)۲.۶H۲O) به همراه هگزامتیلن تترامین (C۶H۱۲N۴) (HTMA) و آب یون‌زدایی شده استفاده شد. پارامترهای متغیر در این تحقیق عبارتند از: غلظت محلول بذر (بخش ۴-۲)، تاثیر دمای بازپخت بر لایه‌های نازک اکسید روی با زیرلایه ۸ بار بذرگذاری شده (بخش ۴-۳-۱)، تاثیر دمای بازپخت بر لایه‌های نازک اکسید روی با زیرلایه ۷ بار بذرگذاری شده (بخش ۴-۳-۲) و سرانجام مطالعه تاثیر مدت زمان بازپخت (بخش ۴-۴). دریافتیم، بسته به شرایط رشد، تصاویر FESEM نمونه‌ها حاکی از شکل‌گیری نانو سیم‌های ZnO می‌باشد. نتایج الگوی پراش پرتو ایکس (XRD) نشان داد که همه نمونه ها دارای ساختار شش گوشی (ورتزایت) بس بلوری هستند. همچنین معلوم شد که، به طور کلی، در نمونه های رشد داده شده مقدار گاف نواری تحت تاثیر میزان ناراستی‌های بلوری (عمدتا دررفتگی‌ها و تهی جاهای اکسیژن) هستند. سرانجام در بررسی اثر فوتورسانایی نمونه‌ها دریافتیم که نواقص بلوری و مورفولوژی سطحی لایه ها تا حد زیادی بر آشکارسازی نور UV نمونه‌ها تاثیر گذارند. دریافتیم در بین پارامترهای بررسی شده نمونه‌ی تهیه شده در شرایط غلظت محلول بذرگذاری ۸mM که ۸ بار بذرگذاری شده، و دمای بازپخت نهایی آن ℃ ۴۰۰ به مدت ۱h می‌باشد از بیشترین حساسیت نوری برخوردار است.