چکیده: به دلیل گستردگی گاف انرژی نیمرساناهای نیتروژن دار (0/7e-6/2e) از ناحیه فروسرخ تا فرا بنفش، این مواد کاندیداهای بسیار خوبی برای ساخت قطعات اپتوالکترونیکی از جمله لیزرها و دیودهای نوری می باشند. کاربرد گسترده دیودهای نوری و لیزرها به ویژه در ناحیه آبی، بنفش، و فرابنفش، در تکنولوژی کامپیوتر و ارتباطات ضرورت تحقیق و درک فیزیکی صحیح فرآیندهای باز ترکیب تابشی و غیر تابشی.... برای مشاهده ادامه چکیده به فایل پیوست رجوع کنید.