چکیده: هدف ما رد این پایان نامه مطالعه اپتیکی افت و خیز پهنای چاههی کوانتومی برای نانوساختارهای نیمه هادی GaN/AlGaN به روش فتولومینسانس و میکروفتولومینسانس است. نمونه ها بدون آلایش بوده و به روش MOCVD به صورت زیر رشد داده شده اند. ابتدا بر روی زیر لایه اکسید آلومینیوم یک لایه AIN با ضخامت حدود 2 نانومتر و سپس یک لایه GaN نسبتا ضخیم با ضخامتی حدود 6 میکرومتر رشد داده شده اند.... برای مشاهده ادامه چکیده به فایل پیوست رجوع کنید.