چکیده: به دلیل گستردگی گاف انرژی نیمرساناهای نیتروژن دار که از ناحیه مادون قرمز تا ماورای بنفش را شامل می گردد، این مواد کاندیداهای بسیار خوبی برای ساخت قطعات اپتوالکترونیکی از جمله دیودهای لیزری و دیودهای نوری می باشند. کاربرد گسترده دیودهای نوری و لیزری بویژه در ناحیه آبی، بنفش و ماورای بنفش در تکنولوژی کامپیوتر و ارتباطات ضرورت تحقیق و درک فیزیکی صحیح فرآیندهای باز ترکیب و عوامل موثر در آتنها جهت اصلاح ساختار و افزایش کارایی قطعات اپتوالکترونیکی را اجتناب ناپذیر کرده است.....برای مشاهده ادامه چکیده به فایل پیوست رجوع کنید.