چکیده: مطالعه خواص الکتریکی و مغناطیسی منگنایت ها بعد از کشف پدیده CMR مورد توجه زیادی قرار گرفته است. در این پروژه به بررسی مطالعه مکانیزم ترابرد الکتریکی در لایه های نازک منگنایت می پردازیم و بدین منظور لایه های نازکی از با ضخامت های 5/4، 7، 12و 37 نانومتر مورد بررسی قرار گرفت. رفتار دمایی مقاومت را در بازه دمایی بالای TC و زیر آن را با مدل های تئوری ارائه شده مورد برازش قرار دادیم و برای هر ضخامت از روی بهترین مدلی که با داده های تجربی منطبق می شود، چگالی حالات، طول جایگزیدگی، انرژی فعال سازی، مقاومت باقی مانده و... را محاسبه نمودیم و با در نظر گرفتن اثرات کرنش لایه و زیر لایه به تفسیر این رفتار پرداختیم.