چکیده: امروزه یکی از مهم ترین صنایع، صنایع ارتباطات و مخابرات است. در سیستم های مخابراتی امروزی، نوسان-ساز های متعامد، از جمله بخش های کلیدی و مهم محسوب می شوند. بطوریکه امروزه در بلوک هایی نظیر گیرنده های همودین، ساختار های حذف تصویر، سیستم های بازیابی کلاک و داده و مدولاتور های QPSK مورد استفاده قرار می گیرند. در صنایع مخابراتی امروزی نوسان ساز هایی با نویز فاز پایین، توان مصرفی کم، دقت و سرعت بالا و سطح اشغالی پایین مورد نیاز می باشد بنابراین ساختار های متفاوتی برای سیگنال های متعامد پیشنهاد و طراحی شده است. که درمیان این ساختار ها نوسان ساز های متعامد LC به علت نویز فاز پایین و کارایی بهتر، بیشتر مورد توجه طراحان قرار گرفته اند. بطورکلی نوسان ساز های متعامد LC از دو بخش تشکیل شده اند که شامل دو نوسان ساز هسته LC و شبکه تزویج می باشند. طراحی مناسب نوسان ساز هسته و شبکه تزویج با توان مصرفی کم و نویز فاز پایین یک چالش محسوب می شود. در این پایان نامه سه نوسان ساز متعامد LC با کارایی بالا و توان مصرفی پایین پیشنهاد شده است که در تمامی آن ها هدف کاهش نویز فاز و توان مصرفی می باشد. در طراحی مدار های پیشنهادی از شبکه تزویج ساده که شامل عناصری فاقد نویز و یا کم نویز بهره گرفته شده است. بطوریکه شبکه تزویج و ساختار های پیشنهادی باعث بهبود نسبی در توان مصرفی و نویز فاز، شده است. اولین مدار پیشنهادی نوسان ساز متعامد اتصال ضربدری LC می باشد که در آن تزریق از طریق گیت ترانزیستور های سری انجام شده است و با ولتاژ تغذیه V1.8 کار می کند. دومین ساختار پیشنهادی نوسان ساز متعامد اتصال ضربدری LC با استفاده از سلول دارلینگتون می باشد که در آن، تزریق از طریق زیرلایه ترانزیستور ها انجام شده است که منجر به کاهش توان مصرفی و بهبود نویز فاز نسبت به ساختار اول می گردد. در سومین مدار پیشنهادی، از یک ساختار کولپیتس تغییر داده شده بهره گرفته شده است. در این ساختار علاوه بر افزایش ترارسانایی و در نتیجه کاهش توان مصرفی، نویز فاز مدار نیز با به کارگیری نوسان ساز های کلاس C همچون کولپیتس، بهبود داده شده است. این ساختار دارای نویز فاز dBc/Hz -122.8 در آفست فرکانسی MHz1 از فرکانس مرکزی GHz 5.23 می باشد همچنین توان مصرفی این مدار در ولتاژ تغذیه ی V1.2 برابر mW 2.88 می باشد که منجر به ضریب شایستگی بالایی می گردد. قابل ذکر است تمامی مدار های پیشنهادی با استفاده از نرم افزار ADS در تکنولوژی TSMC 0.18µm RF-CMOS شبیه سازی شده اند. همچنین ساختار سوم توسط نرم افزار Cadence-IC در تکنولوژی TSMC 0.18µm RF- CMOS با یک چاهک جانمایی شده و شبیه سازی بعد از جانمایی نیز انجام شده است.