چکیده: یکی از فن آوری های ساخت مدارات مجتمع، تکنولوژی CMOS است. پیاده سازی مدارهای دیجیتال به صورت مجتمع ((CMOS IC معمولا نیازمند تنها یک لایه Poly-Si است، هر چند در بسیاری از موارد مثلا برای دست یافتن به خازن های خطی در بسیاری از کاربرد های آنالوگ لایه دوم برای ساخت خازن PIP مورد نیاز است و یا برای ساخت خازن MIM دو لایه فلز لازم است، که این عامل باعث افزایش قابل توجه هزینه و مساحت اشغال شده می شود. در مقابل ورکتورMOS تنها با یک لایه پالی سیلیکون قابل پیاده سازی است که چگالی بسیار بزرگی در واحد سطح دارند و قابل کنترل با ولتاژ نیز می باشند. ورکتورMOS به طور گسترده ای در مدارهای الکترونیکی مورد استفاده قرار می گیرند. مهمترین مشکل در استفاده از ورکتورMOS وابستگی غیر خطی ظرفیت خازن آن به ولتاژ می باشد. به بیان دیگر ورکتورMOS رفتار غیر خطی دارد که در اکثر کاربردها، این رفتار غیر خطی کارایی مدارهای آنالوگ را کاهش می دهد. از دیگر محدودیت های ورکتورMOS، باریک بودن گستره خطی تغییرات خازن بر حسب ولتاژ آن می باشد که این امر سبب ایجاد یک شیب تند در مشخصه تغییرات خازن نسبت به ولتاژ کنترل و افزایش حساسیت مدار به نویز می شود. در این پایان نامه ابتدا نمودار ظرفیت خازنی ورکتورMOS بر حسب ولتاژ متغیر توسط شبیه ساز ADS در حالت متداول رسم شده و سپس تمام محدودیت های ذکر شده در نمودارها و نتایج بررسی گردید. با استفاده از تکنیک پیشنهادی در این پایان نامه ابتدا مشخصه خطی ورکتورMOS اصلاح گردید سپس نتایج و نمودار های خروجی رسم و بعد از مقایسه با حالت اول شاهد نتایج بهتری شدیم. در تکنیک پیشنهادی ابتدا بازه ای از ولتاژ متغیر گیت که منحنی مشخصه ورکتور در آن دارای رفتار خطی است استخراج شد سپس با اعمال ولتاژ مناسب به بالک در حقیقت ولتاژ آستانه (Vth) تغییر و در نتیجه منحنی مشخصه در اثر تغییر، جابه جایی پیدا کرد. حال با موازی کردن تعدا مشخصی از ورکتورها که با تغییر ولتاژ بالک، منحنی آنها جابه جایی پیدا کرده است عملا قسمت هایی از منحنی هر کدام از ورکتورها که خطی هستند با یکدیگر جمع شده و در نتیجه گستره خطی کل افزایش پیدا کرد. در حالت متداول تغییر مقدار ظرفیت خازن از 0.15 pF تا 0.45 pF در محدوده 0.3 ولتی از ولتاژ متغیر اتفاق افتاد اما در روش پیشنهادی، بازه تغییر ظرفیت خازنی از 0.15 pF تا 0.45 pF به ازای 0.9 V ولت تغییر ولتاژ متغیر اتفاق افتاد که گستره رنج خطی افزایش یافته است. همانطور که در متون متعدد بیان شده است این افزایش رنج خطی می تواند کاربردهای متعددی مانند تنظیم دقیق در گیرنده مدار مخابراتی و همچنین کاهش بهره VCO برای بهبود نویز فاز نوسان ساز داشته باشد. بنابراین در انتها ورکتورMOS خطی شده پیشنهادی را در یک LC-VCO به کار گرفته و عملکرد نویز فاز آن را مورد بررسی قرار دادیم که همانطور که انتظار می رفت نویز فاز 19dBc کاهش یافت که بهبود قابل ملاحظه ای بود.