چکیده: در این رساله لایه های مشتمل بر نانومیله های ZnO به روش حمام شیمیایی رسوب گذاری شده و خواص فیزیکی و آشکارسازی نوری نمونه ها با پیکربندی های فلز-نیمرسانا-فلز (MSM) و نیز فوتودیودی (با زیرلایه ی سیلیکونی) تحت تابش فرابنفش مورد بررسی قرار گرفتند. در این تحقیق برای مشخصه یابی نمونه ها از روش های گوناگون نظیر: میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM)، طیف سنجی پاشندگی انرژی پرتو ایکس (EDX)، پراش پرتو ایکس (XRD)، طیف سنجی رامان (Raman)، طیف سنجی اپتیکی فرابنفش-مرئی (UV-Vis)، طیف سنجی فوتولومینسانس (PL)، مشخصه یابی اثر سیبک، همچنین اندازه گیری های جریان-ولتاژ (I-V) و جریان-زمان (I-t) در شرایط تاریکی و تحت تابش نور استفاده شده است. در طی این تحقیق به منظور دستیابی به شرایط بهینه فیزیکی در نانومیله های ZnO تشکیل شده از زیرلایه ها، شرایط بذرگذاری مختلف و بازپخت استفاده شد. در بخش 4-1 بذرگذاری به روش رسوب گذاری حمام شیمیایی بر روی زیرلایه ی شیشه انجام شد و پس از تعیین تعداد دفعات بهینه لایه نشانی بذر در بخش 4-2 به بررسی تاثیر مدت زمان بازپخت بر خواص فیزیکی و اثر فوتورسانایی لایه های ZnO پرداختیم. مشخص شد نمونه بازپخت شده در مدت زمان 1ساعت h)1) بیشترین جریان نوری به تابش فرابنفش را در مقایسه با سایر نمونه ها دارد.. در بخش 4-3 فرایند بذرگذاری زیرلایه های شیشه با کندوپاش لایه های فلزی Zn در مدت زمان های مختلف انجام شده و در جو O2 اکسید شدند، و سپس خواص فیزیکی و نیز فوتورسانایی لایه های ZnO مورد مطالعه قرار گرفت. . دریافتیم نمونه بذرگذاری شده درمدت زمان min 10(S10) زمان بازیابی کوتاهتری را نسبت به سایر نمونه ها دارد. در بخش 4-4 به مطالعه ی حسگری نور فرابنفش در آرایه های ZnO که با عناصر مختلف (Co، Cu و N) با غلظت های مختلف 5/0 و mM 1 آلایش شده اند پرداخته ایم. . ملاحظه شد نمونه های آلایش شده با غلظت mM5/0 پاسخ نوری بالاتری نسبت به نمونه آلایش شده با غلظت mM1 دارند. در ادامه، در بخش های 4-5 و 4-6 با جایگزینی زیرلایه ی p-Si، ما به بررسی خواص فیزیکی و آشکارسازی نوری نانومیله های ZnO خالص و آلایشی (Co ، Cu و N) با غلظت mM 5/0 با پیکربندی های MSM و پیوندگاهی p-Si/n-ZnO پرداختیم. معلوم شد نمونه های پیوندگاهی p-Si/n-ZnO از پاسخ نوری بالاتری نسبت به نمونه های با پیکربندی MSM برخوردارند.