چکیده: در این رساله خواص فیزیکی لایه های نازک CdS و CdTe، همچنین خواص پیوندگاه نامتجانس سلول های خورشیدی CdS/CdTe مورد بررسی قرار گرفتند. در این تحقیق برای مشخصه یابی نمونه ها از میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM)، طیف سنجی پاشندگی انرژی پرتو ایکس (EDX)، پراش پرتو ایکس (XRD)، طیف سنجی رامان (Raman)، طیف سنجی اپتیکی فرابنفش-مرئی (UV-Vis)، طیف سنجی فوتولومینسانس (PL)، مشخصه یابی اثر سیبک و جریان-ولتاژ (در شرایط تاریکی و نورتابی) استفاده شده است. در بخش اول این تحقیق لایه های نازک CdS با استفاده از روش مقرون به صرفه ی رسوبگذاری حمام شیمیایی ساخته شدند. با تغییر برخی از پارامترهای ساخت مانند مدت زمان، دمای لایه نشانی، تغییر نوع زیرلایه (شیشه و FTO) و بازپخت خواص فیزیکی آن ها مورد تحقیق و بررسی قرار گرفت. نتایج نشان داد که نمونه ها دارای رسانندگی الکتریکی نوع n هستند و نمونه تهیه شده با کمترین مدت رشد (min 30) کمترین مقاومت ورقه ای ( MΩ/sq6/3) را دارد. در بخش دوم لایه های نازکCdTe را با استفاده از روش کندوپاش ساخته و تاثیر پارامترهای گوناگون از جمله: مدت زمان رشد، دمای زیر لایه و بازپخت را بر خواص نمونه ها مورد بررسی قرار دادیم. نتایج نشان داد که نمونه ها دارای رسانندگی نوع p هستند و خصوصیات الکتریکی لایه های CdTe به شدت تحت تاثیر عملیات حرارتی CdCl2 است. در پایان مبادرت به ساخت تعدادی سلول خورشیدی CdS/CdTe نموده و تاثیر عواملی مانند: بازپخت، ضخامت لایه CdTeو غلظت CdCl2 را بر مشخصه جریان-ولتاژ این قطعات در شرایط تاریکی و روشنایی مورد بررسی قرار دادیم. در این تحقیق، ما به بازدهی23/2 % در سلول خورشیدی بهینه ی خود دست یافتیم.