چکیده: بخش مهمی از کاربردهای قطعات الکترونیکی در حضور تابش لیزر و میدان های مغناطیسی موُثر در نانوساختارها خواهد بود.به همین دلیل تلاش گسترده ای برای درک جنبه های مختلف گزارهای الکترونی در نانوساختارهای نیم رسانا به عمل امده است. در این پایان نامه با توجه به نقش موثر بر هم کنش میان الکترونها وفونون های اپتیکی طولی که روش بسار موثری برای به دست آوردن واهلش حاملان بار در نانوساختارهاست گزار بین ترازهای لاندائو در یک سیم چاه کوانتومی تحت تابش لیزر و در حضور یک میدان مغناطیسی قوی و با اعمال یک پتانسیل محدود کننده عرضی به صورت نظری مطالعه میگردد و با انجام محاسبات عددی نتایج شکافت انرژی در دستگاه مورد مطالعه را به صورت تابعی از میدان اعمالی نشان میدهد.با افزایش شدت میدان و اعمال تابش لیزر شکافت انرژی کمتر میشود.