چکیده: در این پایان نامه مسئله ترابرد الکترون ها در دو نیمرسانایInN وAlN درحضور میدان های الکتریکی ضعیف با استفاده از حل معادله بولتزمن به روش برگشت پذیر مورد بررسی قرارگرفته است . نتایج این مطالعه نشان می دهد که درمیدان های الکتریکی ضعیف ( V/cm 104 ) ، تنها الکترون های واقع در دره مرکزیΓ در ترابرد الکترون ها سهیم می باشند و گذارهای بین دره ای و بین نواری وجود ندارد ، درحالیکه در میدان های الکتریکی قوی ،الکترون های واقع در دره های مجاور نیز در ترابرد الکترون ها شرکت می کنند و گذارهای بین دره ای و بین نواری نیز صورت می پذیرد . در واقع در میدان های الکتریکی قوی ، الکترون های واقع در دره مرکزیΓ می توانند انرژی لازم برای رفتن به دره های دیگر را کسب نمایند. در بررسی ساختارنواری و تأثیر آن برخواص ترابرد الکترون ها از نظریه کین ، استفاده شده است. همچنین در این کار پراکندگی های ناشی از فونون های آکوستیکی و اپتیکی قطبی ، پتانسیل تغییر شکل شبکه ، اثرپیزو الکتریک ، ناخالصیهای یونیزه نیز بررسی شده است . بستگی تحرک پذیری به دما و همچنین تراکم الکترون ها نیز در دو نیمرسانایInN وAlN مورد بررسی قرار گرفته است .