چکیده: با توجه به توسعه فناوری و فراهم آمدن امکان بهره‌برداری از ساختارها و قطعاتی در ابعاد نانو از قبیل چاه‌ها، سیم‌ها و نقاط کوانتومی و نیز با گسترش سریع در توسعه و کاربرد منابع لیزر توان بالا و فرکانس تنظیم‌پذیر همچون لیزرهای الکترون آزاد ، بررسی خواص ترابردی و اپتیکی در نانوساختارهای تحت تابش الکترومغناطیسی تراهرتز عملی شده است. بنابراین به جهت فراهم آوردن درک عمیق از نتایج حاصل از مطالعات تجربی و توسعه کاربرد، بررسی نظری همه جانبه دستگاه‌های مذکور اجتناب‌ناپذیر است. دراین پژوهش ترابرد غیر خطی و خواص نوری یک سیم کوانتمی نیمرسانای شبه دو بعدی که تحت تابش شدید لیزر واقع شده است بررسی می گردد. ابتدا با حل معادلات ترازمندی تکانه و انرژی با استفاده از رهیافتی مبتنی بر معادله بولتزمن درحالت پایا و لحاظ نمودن برهمکنش بین الکترون ها و فونون ها، زمان واهلش تکانه، رسانندگی و آهنگ اتلاف انرژی الکترون برای سیم کوانتومی شبه یک بعدی بدست می آوریم. سپس با استفاده از نتایج، بستگی آهنگ گذار الکترونی، دمای الکترونی، رسانندگی و آهنگ اتلاف انرژی الکترون به شدت و فرکانس تابش الکترومغناطیس و دمای ماده برای نمونه Al _x Ga_(1-x) As/GaAs نامتجانس بررسی می‌شود.