چکیده: بکارگیری موثر ویژگی های نوری و الکترونی نانو ساختارها نقشی محوری در توسعه صنایع الکترونیک و الکترونیک نوری ایفاء می کند. بخش مهمی از کاربردهای آتی قطعات الکترونیک و نوری مبتنی بر ترابرد الکترونی در حضور تابش تراهرتز و میدان الکتریکی و مغناطیسی موثر در نانوساختارها خواهد بود. بنابراین بررسی خواص نوری و ترابرد الکترونی غیر خطی در نانوساختارها اهمیت ویژه ای را خواهد داشت. در این پایان نامه با توجه به نقش موثر بر هم کنش های الکترون-فوتون-فونون, ترابرد غیر خطی الکترونی در یک سیم کوانتمی تحت تابش تراهرتز و حضور میدان مغناطیسی قوی عمود بر امتداد سیم به صورت نظری مطالعه می گردد. و با انجام محاسبات عددی, نتایج سه رژیم متفاوت را نمایش می دهد. با افزایش شدت میدان و یا فرکانس تابش الکترون ها با جذب انرژی تابشی گرم شده و با گسیل فونون انرژی از دست می دهند. اما در میدان های تابشی با شدت پایین دمای الکترون به دمای نمونه نزدیک است, دستگاه پاسخ خطی از خود بروز می دهد. در رژیم غیر خطی با افزایش میدان مغناطیسی رسانندگی کاهش می یابد این روند کاهش رسانندگی می توان به بر هم کنش الکترون-فونون در حضور میدان مغناطیسی نسبت داد.