چکیده: در سالهای اخیر نیمرساناهای نیتروژندار رقیق (آلیاژهای سه تایی و چهارتایی گروه III-N-V به میزان کمتر از پنج درصد نیتروژن) به دلیل خواص جالب توجه و در عین حال غیر عادی آنها، در ساخت قطعات مورد استفاده درصنایع اپتوالکترونیک و فتونیک نظیر: لیزرهای مادون قرمز با بازده بالا، دیودهای نور گسیل (LED's)، سلولهای خورشیدی چند پیوندی و ترانزیستورهای دوقطبی پیوند ناهمگون (HBTS) مورد توجه قرار گرفته اند. در بین این گروه از مواد، ساختارهای حجمی و کوانتومی GaInNAs/GaAs و GaInNP/GaAs برای استفاده در مخابرات نوری و سلولهای خورشیدی چند پیوندی مناسبند. افزودن مقدار کمی نیتروژن به این نیمرساناهای ترکیبی منجر به تغییر برخی از مشخصه‌های عمومی نیمرساناهای میزبان می‌گردد، که به عنوان نمونه می‌توان به: افزایش بیشینه چگالی الکترون آزاد در نمونه GaInNAs دارای آلایش سنگین سلنیوم (Se) نسبت به نمونه مادر GaAs با چگالی ناخالصی مشابه، وابستگی غیریکنواخت تحرک الکترونی به چگالی الکترونی در آلیاژ GaInNAs دارای آلایش سیلیسیوم (Si) پس از بازپختهای متوالی در شرایط متفاوت، تغییر مشخصه‌های نوری ساختار GaInP/GaAs پس از افزودن نیتروژن اشاره کرد. به منظور توضیح این رفتارها ما از: مدل دافعه نواری، مدل نواقص دوخصلتی بومی، فرایند نفوذ سیلیسیوم درون آلیاژ در اثر بازپخت، اثرهای پدیده غیرفعالسازی متقابل استفاده کرده ایم. بــررسـی‌هـای ما نشان مــی‌دهد: الف) در نــمونــه‌هـای دارای آلایــش بــالای سلــنیـوم (3-cm 1020 - 1021) موضع تراز فرمی را می‌توان با توجه به موقعیت مکانی بیشینه چگالی حالتها ثابت فرض کرد. با این فرض و استفاده از توزیع آماری فرمی- دیراک، برای ترکیبات دارای نیتروژن کمتر از 4%، افزایش تراکم الکترونی برحسب افزایش تراکم نیتروژن با دقت خوبی پیش بینی می‌گردد. ب) بر طبق نظریه غیرفعالسازی متقابل، براثر بازپخت آلیاژ نیتروژندار رقیقی که با سیلیسیوم آلایش شده است، دهنده‌‌های سیلیسیوم و اتمهای نیتروژن جفتهای پایدار SiGa-NAs را می‌سازند. در نتیجه برای بررسی وابستگی تحرک الکترونی به چگالی الکترونی، می‌بایست اثر جفتهای SiGa-NAs را به عنوان مراکز پراکننده خنثی درنظر گرفت. ج) افزودن نیتروژن ردیف شدگی نواری نوع I در مرز مشترک ساختار ناهمگون GaInP/GaAs را به ردیف شدگی نواری نوع II در مرز مشترک ساختار ناهمگون GaInNP/GaAs تبدیل می‌کند.