چکیده: ترکیبات نیمرسانای نیتروژن دار رقیق نظیر GaInNP(As) به دلیل خواص بسیار جالب و در عین حال غیر عادی آنها در مقایسه با ترکیبات بدون نیتروژن گروه III-V در سالهای اخیر همواره مورد توجه بوده است.کاربرد این ترکیبات نیمرسانا در صنایع اپتوالکترونیک و فتونیک می باشد که ازآنها در ساختن لیزرهای مادون قرمز، دیودهای نور گسیل ( LEDs) ، سلول های خورشیدی چند پیوند گاهی و نیز ترانزیستورهای دو قطبی ناهمگون( HBTs) استفاده می شود. در این راستا مشاهده پدیده آنتی-استوک فتولومینسانس یا فتولومینسانس وارونه در این ترکیبات که منجر به افزایش بازده انرژی (یا وارونی فرکانس) تا حدود meV700 می گردد ،حایز اهمیت است.از اینرو در این پایان نامه ابتدا به معرفی پدیده آنتی-استوک فتولومینسانس و بررسی مکانیزم های موثر در وارونی انرژی آن پرداخته ایم.سپس گزارش هایی از مشاهده این پدیده در ترکیبات نیمرسانا و کاربرد آن در صنعت نیمرسانا را بررسی کرده ایم. در نهایت بر اساس تحلیل داده های تجربی، نشان داده ایم که تاثیر آلایش نیتروژن روی ساختارهای نیمرسانای بی نظم GaInP/GaAs به یک فرایند آنتی-استوک فتولومینسانس قوی منجر می شود. اولین نتیجه بر اساس مطالعات انجام شده این بوده است که بازده فرایند آنتی-استوک فتولومینسانس به طور بحرانی به غلظت نیتروژن وابسته است. پیش بینی ما در توجیه این مساله تغییر نوع ردیف شدگی نواری در فصل مشترک نمونه های مورد مطالعه بدلیل حضور نیتروژن می باشد. علاوه بر آن نتایج حاصل از اندازه گیری ها نشان می دهد که شدت سیگنال آنتی-استوک فتولومینسانس تقریبا به طور خطی با چگالی توان تحریک تغییر می کند. همچنین اندازه گیری های فتولومینسانس وابسته به زمان رفتار غیر تک نمایی زمان واهلش را نشان می دهد. با توجه به مشاهده سیگنال های آنتی-استوک فتولومینسانس با بازدهی بالا حتی در توان های تحریک بسیار پایین و اندازه گیری پارامترهای وابسته به توان تحریک، به نظر ما مکانیزم جذب دو فوتون دو مرحله ای برای توجیه وارونی انرژی در این فرایند از دیگر مکانیزم ها محتمل تر است.