چکیده: با توجه به خواص جالب توجه ای که نیمرساناهای نیتروژندار رقیق III-N-V از خود نشان داده اند در دهه های اخیر این ترکیبات به منظور استفاده در صنایع اپتوالکترونیک مورد توجه محققین قرار گرفته اند. بنابراین بررسی خواص این گروه از ترکیبات و نحوه تغییر آنها در اثر آلایش با عناصر دیگر بسیار مورد علاقه می باشد. از سوی دیگر هیدروژن عنصری است که بسیار واکنش پذیر بوده و ممکن است در مراحل رشد مواد نیمرسانا حضور داشته باشد. بنابراین این عنصر با واکنشها و کمپلکسهایی که می تواند تشکیل دهد احتمالا می تواند روی خواص اپتیکی و الکترونیکی نیمرساناهای نیتروژندار رقیق تاثیر بگذارد. ما در این پایان نامه به بررسی این آثار روی ترکیبات نیمرسانای GaNAs و GaNP دارای ساختارهای حجمی و ﭼاه کوانتومی به کمک نتایج حاصل از اندازه ﮔیری های فوتولومینسانس عادی ، تحریکی ، فوتولومینسانس وابسته به دما و طیف سنجی رامان پرداخته ایم. همچنین تغییرات احتمالی بوجود آمده در خواص ساختاری این نمونه ها نیز ، با مطالعه طیف تفرق اشعه X حاصل از نمونه ها انجام شده است. نتایج بدست آمده از مطالعات خواص اپتیکی و الکتریکی و ساختاری انجام شده نشان داده اند که اتمهای هیدروژن با تشکیل کمپلکسهای مختلف با اتمهای نیتروﮊن که موثرترین آنها ( ) نامیده شده است آنها را غیر فعال می کنند و در نتیجه باعث می شوند که این ترکیبات خواصی مشابه ترکیباتی با مقدار نیتروژن موثر کمتر و برای غلظتهای بیشتر هیدروژن خواصی مشابه ترکیبات بدون نیتروژن از خود نشان دهند. انجام عملیات هیدروژندهی می تواند بعنوان ابزاری برای مهندسی گاف انرژی روی این گروه از نیمرساناها استفاده شود. همچنین عملیات هیدروژندهی بعد از رشد ترکیبات نیتروژندار روش موثری برای توزیع یکنواخت نیتروژن در نمونه ها می باشد ، زیرا بدلیل الکترونگاتیوی محلی قویی بوجود آمده در محل خوشه های نیتروژنی ، هیدروژنها ابتدا این خوشه ها را غیر فعال کرده و سپس اتمهای منفرد نیتروژن را غیر فعال خواهند کرد. عملیات هیدروژندهی بر روی این ترکیبات روش موثری برای غیر فعال کردن مراکز بازترکیب غیر نوری و در نتیجه پایداری نمونه ها در برابر تغییرات دمایی است.