چکیده: نظریه تابعی چگالی بستر نظری ارزشمندی را برای مطالعه ی خواص گستره ی وسیعی از مواد با ویژگی های متنوع فراهم آورده است و استفاده از دسته معادلات تک ذره ای کوهن - شم از مهم ترین راهکارهای موجود برای کاربردی کردن این نظریه است. در این پایان نامه، در فصل اول به طور اجمالی در مورد صنایع اسپینترونیک و کاربرد آن مطالبی ارائه گردیده است و سپس در فصل دوم خواص عمومی و فیزیکی مواد مطالعه شده در این کار بررسی شده است. در فصل سوم به نظریه تابعی چگالی و چگونگی مطالعه سیستم های غیرمغناطیسی توسط این نظریه پرداخته ایم و نهایتاً با تعمیم نظریه تابعی چگالی به سیستم های مغناطیسی، معادلات تک ذره کوهن - شم برای چنین سیستم هایی بدست آمده است. در فصل های چهارم و پنجم به بررسی خواص مغناطیسی، الکترونی و ساختاری مواد مورد نظر و مقایسه آن با نتایج کارهای دیگران پرداخته شده است. مواد مورد مطالعه در این تحقیق از ترکیبات گروه III-N که دارای گاف نواری پهن می باشد (AlN , GaN)، انتخاب شده است که با درصدهای مختلفی از اتم های مغناطیسی Cr، Mn و Fe آلاییده شده اند. در این کار برای انجام محاسبات از کد محاسباتی PWscf استفاده شده است. در فصل چهارم در مورد این کد محاسباتی و قابلیت های آن توضیحاتی ارائه شده است.