پایان نامه > کتابخانه مرکزی دانشگاه صنعتی شاهرود > فيزیک و مهندسی هسته ای > مقطع کارشناسی ارشد > سال 1397
پدیدآورندگان:
مهرزاد بیرانوند [پدیدآور اصلی]، طیبه مولاروی[استاد راهنما]، فاطمه بدیعیان باغ سیاهی [استاد مشاور]
چکیده: در این پژوهش خواص الکترونی و مغناطیسی نانوصفحات AlN خالص و آلایش یافته با عناصر واسطه ( Cu، Fe، Co، Mn، V، Cr، Ni، Ti) با استفاده از رهیافت نظریه تابع چگالی قطبیده اسپینی و تقریب شیب تعمیم یافته GGA توسط کد محاسباتی SIESTA مطالعه شده است. محاسبات روی نانوصفحات دسته صندلی (4,4) و زیگزاگ (0,6) صورت گرفته است. نانوصفحات زیگزاگ و دسته صندلی خالص به ترتیب دارای گاف نواری 3.36 و 3.38 الکترون ولت می باشد. بعد از آلایش با عناصر واسطه تغییرات گاف هر دو نانوصفحه بسیار اندک است. ابتدا خواص الکترونی و مغناطیسی نانوصفحات خالص و آلایش یافته مطالعه شده است و سپس پایدارترین حالت آلایش بررسی شده است. نتایج حاصل از محاسبات الکترونی نشان دهنده خواص نیم رسانایی این نانوصفحه‎هاست. ساختارهای الکترونی نشان می دهد نانوصفحات خالص زیگزاگ و دسته صندلی دارای گاف نواری مستقیم بوده و در هر دو نوع نانوصفحه با افزایش تعداد اتم ناخالصی گاف نواری کاهش یافته است. تقارن چگالی حالت ها بیانگر عدم خاصیت مغناطیسی نانوصفحات خالص می باشد. چگالی حالت های قطبیده اسپینی نشان می دهد که نانوصفحات آلومینیم نیترید آلایش یافته با عناصر واسطه Cr، Fe، Co در فاز فرومغناطیسی مستقل از تعداد و مکان آلایش نیم رسانای مغناطیسی رقیق شده و با Cu فلز غیر مغناطیسی اند. در حالیکه نانوصفحات آلایش یافته با عناصر واسطه Ti، V، Mn، Ni بسته به تعداد و موقعیت آلایش ممکن است نیم فلز یا نیم رسانای مغناطیسی رقیق شده باشند. در فاز آنتی فرومغناطیس نیز نانوصفحات آلایش یافته با عناصر واسطه فلز غیرمغناطیسی یا نیم رسانای غیرمغناطیسی اند. نانوصفحات آلایش یافته با Ti، V، Mn، Ni که دارای خاصیت نیم فلزی اند کاربرد خوبی در صنعت اسپین ترونیک و بویژه مبحث اسپین فیلترینگ دارند. فاز پایدار مغناطیسی نانوصفحه AlN دسته صندلی (4,4) آلایش یافته با اتم های Mn، Ni مستقل از مکان آلایش فرومغناطیس و برای آلایش با Co، Fe، آنتی فرومغناطیسی بدست آمد در حالیکه آلایش این نانوصفحه با عناصر Cr، Cu، V، Ti بسته به مکان آلایش فاز پایدار AFM یا FM می باشد. در نانوصفحه AlN زیگزاگ (0,6) نیز فاز پایدار مغناطیسی برای آلایش با اتم های Cr، Mn، Cu مستقل از مکان آلایش فرومغناطیسی و برای اتم های Co، V آنتی فرومغناطیسی بدست آمد در صورتیکه فاز پایدار نانوصفحه آلایش یافته با Ti، Fe، Ni بسته به مکان آلایش FM یا AFM می باشد. گشتاور مغناطیسی کل ایجاد شده در ساختار از Ti به سمت Fe افزایش یافته و بیشینه مقدار را آلایش Fe نشان می دهد و سپس با افزایش عدد اتمی از Fe به سمت Cu کاهش می یابد. در هر دو نانوصفحه زیگزاک و دسته صندلی آلایش یافته با عناصر واسطه بیشترین گشتاور جزئی مربوط به اتم Mn می باشد. نتایج حاصل از این تحقیق می تواند جهت مطالعات تجربی آینده روی نیم رساناهای مغناطیسی رقیق شده مفید واقع گردد. با توجه به نتایج حاصل از این پژوهش و انعطاف پذیری نانوصفحات AlN در حضور آلایش و مشاهده خاصیت فرومغناطیسی، نانو صفحات AlN آلایش یافته با عناصر واسطه به عنوان کاندیدای مناسب جهت کاربرد در قطعات اسپین ترونیکی، فیلترهای جریان اسپینی و تزریق کننده های جریان اسپینی پیشنهاد می شوند.
کلید واژه ها (نمایه ها):
#نانوصفحات AlN #خواص مغناطیسی #نظریه تابع چگالی #کد SIESTA #نیم رسانای رقیق شده مغناطیسی (DMS) #اسپین ترونیک

دانلود نسخه تمام متن (رایگان)

محل نگهداری: کتابخانه مرکزی دانشگاه صنعتی شاهرود
یادداشت: حقوق مادی و معنوی متعلق به دانشگاه صنعتی شاهرود می باشد.
تعداد بازدید کننده:
پایان نامه های مرتبط (بر اساس کلیدواژه ها)