چکیده: طیف وسیعی از مواد نیمرسانا با آلایش عناصر واسطه (اتمهای مغناطیسی) وجود دارند، که این مواد را عموماً بعنوان نیمرساناهای مغناطیسی رقیق شده DMS می‌شناسند. از سوی دیگر DMS های حاصل از ترکیبات نیمرسانای گروه III-V، بعلت امکان کاربرد آنها در اسپینترونیک، توجة بسیاری از محققین را به خود جلب کرده است. افزایش تقاضا برای وسایل الکترونیکی حالت جامد که کیفیت بهتر و سرعت بیشتری نسبت به نمونه‌های موجود داشته باشد سبب توجه زیاد به ترکیبات گالیوم آرسناید شده است. در این پژوهش خواص الکترونی و مغناطیسی نانولوله‌‌های خالص و آلایش یافته GaAs با عناصر واسطه (V, Cr, Mn , Fe, Co, Sc, Ti, Ni ) ، با استفاده از رهیافت نظریه‌ تابع چگالی قطبیده اسپینی و تقریب چگالی موضعی LDA توسط کد محاسباتی SIESTA مطالعه شده است. محاسبات روی نانولوله‌های خالص‌ دسته‌صندلی (4,4)، (5,5)، (6,6)، (7,7)، (8,8)، (9,9)، (10,10)، (12,12)، (14,14)، (16,16)، (18,18)، (20,20) و زیگزاگ (0,4)، (0,5)، (0,6)، (0,7)، (0,8)، (0,9)، (0,10)، (0,12)، (0,14)، (0,16)، (0,18)، (0,20) صورت گرفته است. نتایج حاصله از محاسبات الکترونی بیانگر خواص نیمرسانایی این نانولوله‌هاست. نانولوله‌های دسته‌صندلی (3, 3)، (5, 5) و زیگزاگ (0, 9)، (0, 5) توسط عناصر واسطه مورد آلایش قرار گرفته است که نتایج حاصل از این تحقیق می تواند جهت مطالعات تجربی آینده روی نیمرساناهای مغناطیسی رقیق شده مفید واقع گردد. با توجه به نتایج حاصله از این پژوهش و انعطاف پذیری نانولوله‌های GaAS در حضور آلایش و مشاهده‌ خاصیت فرومغناطیس در دمای اتاق، نانولوله‌های GaAs آلایش یافته با عناصر واسطه به عنوان کاندیدای مناسب جهت کاربرد در قطعات اسپین ترونیکی، فیلترهای جریان اسپینی و تزریق کننده‌های جریان اسپینی پیشنهاد می شوند.