چکیده: نانولوله‌های گالیوم آرسنایدGaAs به دلیل دارا بودن ویژگی های خاص، نظیر تحرک بسیار زیاد الکترونی، مقاومت آن در برابر تابش و کارایی خوب آن در دماهای زیاد، کاربردهای گسترده‌ای در صنایع گوناگون دارند. در این پژوهش خواص ساختاری، الکترونی و پایداری نانولوله‌های دوجداره GaAs خالص و آلایش‌یافته با اتم Al، با استفاده از نظریه تابعی چگالی با درنظرگرفتن نیروهای واندروالس (VDW-DFT)، به روش شبه پتانسیل توسط کد محاسباتیSIESTA بررسی شده است. محاسبات روی نانولوله‌های دوجداره خالص دسته‌صندلی (۴,۴)@(n,n)با (۱۳-۷=n) و (n،n)@(۵،۵) با (۱۳-۸)=n و زیگزاگ (n,۰)@(۶،۰) با (۱۸-۱۱)=n و (n,۰)@(۷،۰) با (۱۸-۱۳=n) صورت گرفته است. نتایج حاصل از مطالعه پایداری نانولوله‌های دوجداره خالص نشان می‌دهد نانولوله‌های دوجداره GaAs خالص دسته‌صندلی با اختلاف کایرالیته ۵، (۵+n،n)@(n+۵،n) و فاصله درون‌جداری Å ۵/۴ و نانولوله‌های زیگزاگ با اختلاف کایرالیته ۸، (۰،n,۰)@(n+۸) و فاصله درون‌جداری Å ۴/۹ از لحاظ پایداری مناسب‌ترین ساختارها هستند. محاسبات ساختار نواری نشان می‌دهد تمام نانولوله‌های خالص دسته‌صندلی و زیگزاگ، نیمه‌رسانا می‌باشند. گاف نواری نانولوله‌های دوجداره GaAs، با افزایش قطر نانولوله‌ها روندی افزایشی دارد و در قطرهای بالاتر، روند تغییرات کندتر می‌شود. نانولوله‌های دوجداره (n،n)@(۴،۴) با (۱۳-۹=n) و (n،n)@(۵،۵) با (۱۵-۱۰=n) از نوع دسته‌صندلی و (n,۰)@(۶،۰) با (۱۸-۱۴=n) و (n,۰)@(۷،۰) با (۱۸-۱۵=n) از نوع زیگزاگ با اتم Al آلایش شدند، که پایدارترین نانولوله بعد از آلایش با اتم آلومینیوم در حالت دسته‌صندلی ساختار (۱۰،۱۰)@(۴،۴) و (۱۱،۱۱)@(۵،۵) با انرژی تشکیل در حدود ۰/۷۵- eV و اختلاف کایرالیته ۶ و در حالت زیگزاگ ساختار (۱۵،۰)@(۶،۰) با انرژی تشکیل در حدود ۰/۶۳eV- و (۱۶،۰)@(۷،۰) با انرژی تشکیل در حدود۱/۴۱eV- و اختلاف کایرالیته ۹ پایدارترین ساختار می‌باشد.