چکیده: حسگرهای گازی به قطعاتی اطلاق می شود که می توانند غلظت یک گاز بخصوص را به یک سیگنال الکتریکی تبدیل کنند، اکسید روی یکی از مهم ترین نیمرساناهایی است که همواره خاصیت حسگری گازی خوبی از خود نشان داده است. اکسید روی یک نیمه رسانا با گاف انرژی پهن ۳۷/ ۳ الکترون ولت می باشد. در این پژوهش خواص فیزیکی جذب مولکول گازهای سمی HCl-C۲N۲-HCN-H۲S-CNCl بر روی نانوصفحات ZnO خالص، با استفاده از رهیافت نظریه تابع چگالی) (DFT و تقریب نیروی وان دروالس VDW توسط کد محاسباتی SIESTA مطالعه شده است. محاسبات روی نانوصفحه دسته صندلی (۳،۳) و زیگزاگ (۵،۰) صورت گرفته است. مولکول گاز در دو حالت افقی و عمودی در فاصله بهینه شده ۲/۵ آنگستروم از هر دو نانو صفحه به آن نزدیک و انرژی جذب را پس از بهینه شدن ساختار محاسبه شده است. همچنین فاصله تعادلی بعد از جذب مولکول، میزان تغییرات گاف نواری و بار انتقالی محاسبه و بعد از آن ساختار نواری و چگالی حالت های کلی و جزئی برای حالت های بهینه هر گاز (منفی ترین انرژی های جذب ) محاسبه شده است. مشاهده شد که مولکول های گاز در حالت های جذب افقی، انرژی منفی تری داشته و با سطح نانو صفحه جذب شیمیایی برقرار می کنند. همچنین در حالت هایی که مولکول به صورت شیمیایی جذب نانو صفحه می شود فاصله تعادلی بعد از جذب کاهش یافته و میزان بار انتقالی بین مولکول گاز و نانو صفحه افزایش می یابد. با محاسبه ساختارنواری مشاهده گردید که گاف نواری در حالت های جذب شیمیایی صفر است و ساختار خاصیت فلزی پیدا می کند. همچنین در مولکولHCN منفی ترین انرژی جذب به دست آمد که نشان می دهد نانو صفحه زیگزاگ (۵،۰) و (۳،۳) اکسید روی می تواند حسگر قوی برای گاز HCN باشد.