چکیده: اکسید روی یکی از مهم‌ترین نیم رسانه های گروه II-VI می باشد. با توجه به ویژگی های خاص مانند گاف نواری مستقیم و پهن در حدود ۳/۳۷ الکترون ولت قابلیت کاربرد در قطعات الکترونیکی فرکانس بالا، لیزر های توان بالا، ترانزیستورهای اثر میدانی پرسرعت دارد. این ماده به دلیل داشتن خاصیت زیست سازگاری زیاد می تواند کاربردهای جدیدی نیز در صنعت الکترونیک نوری، حسگرها، و پزشکی داشته باشد. حسگر های گازی نیم رسانا برپایه اکسیدهای فلزی کاربرد وسیعی درحفاظت محیط زیست، تشخیص بیماری و غیره دارند. در این پروژه با استفاده از کد محاسباتی SIESTA بر پایه نظریه تابع چگالی (DFT) و با استفاده از تقریب واندروالس (VDW) به بررسی و جذب گازهای ,HF ,CNCl ,SO۲ ,HCN C۲N۲ روی نانو لوله های تک جداره اکسید روی زیگزاک (۷,۰) و دسته صندلی (۴,۴) خالص پرداخته شده است. ابتدا خواص الکترونی وساختار نواری نانولوله ها بررسی و سپس مولکول های گازی در دو حالت افقی و عمودی روی نانولوله ها جذب و پایدارترین حالت جذب محاسبه شده است. گاف نواری قبل از جذب برای نانولوله خالص زیگزاگ ۲/۱۶ و برای دسته صندلی ۲/۲۲ الکترون ولت به دست آمد. پایدارترین موقعیت جذب برای مولکول‌ها روی مرکز ۶ضلعی ودر فاصله ۳ آنگستروم به دست آمده است. همچنین فاصله تعادلی بعد از جذب مولکول، میزان تغییرات گاف نواری و بار انتقالی محاسبه و بعد از آن ساختار نواری و چگالی حالت های کلی و جزئی برای حالت های بهینه هر گاز (منفی ترین انرژی های جذب ) محاسبه شده است. مشاهده شد که جذب مولکول های گاز ی با سطح نانو لوله در حالت های افقی از نوع جذب شیمیایی و در حالت های عمودی جذب فیزیکی می باشد. همچنین در حالت هایی که مولکول به صورت شیمیایی جذب نانو لوله می شود فاصله تعادلی بعد از جذب کاهش یافته و میزان بار انتقالی بین مولکول گاز و نانو لوله افزایش می یابد. در جذب های شیمیایی انرژی جذب منفی و بزرگتر از ۱ الکترون ولت بدست آمد. نتایج بیانگر این است که نانولوله های اکسید روی می‌تواند جاذب خوبی برای آشکارسازی گازهای HCN و CNCl باشد.