چکیده: یکی از مهم ترین مواد برای دستگاه های الکترونیکی و اسپین ترونیکی نانوروبان های گرافنی می باشند که توجهات زیادی را به خود جلب کرده اند. گرافن در مقایسه با نانو لوله های کربنی دارای ساختار ساده تر و همچنین امکان آماده سازی آن بسیار راحت تر است. گرافن به دلیل دارا بودن تحرک الکترونی بالا و همچنین ساختار لایه ای آن در صنعت نیمرساناها بسیار مورد توجه است. در این پایان نامه، خواص الکترونیکی، مغناطیسی و ترابردی نانوروبان های گرافنی آرمچیر و زیگزاگ و همچنین تاثیر افزودن ناخالصی بر روی خواص این نانوروبان ها بررسی شده است. در ابتدا خواص الکترونیکی و مغناطیسی نانوروبان های گرافنی خالص و آلایش یافته با عناصر واسطه (Cr، Mn و Fe) با استفاده از رهیافت نظریه‌ تابعی چگالی (DFT) و تقریب شیب تعمیم یافته (GGA)توسط کد محاسباتی SIESTA بررسی شده است. نتایج این بررسی ها نشان می دهد نانوروبان های گرافنی آرمچیر در حالت خالص نیمرسانای غیر مغناطیسی و نانوروبان های گرافنی زیگزاگ در حالت خالص فلز مغناطیسی می باشند. بعد از آلایش با اتم های عناصر واسطه بسته به نوع آلایش و مکان قرار گرفتن ناخالصی به نیمرسانای مغناطیسی، نیمرسانای غیر مغناطیسی، فلز مغناطیسی و فلز غیر مغناطیسی تبدیل می شوند. در ادامه کار با استفاده از روش تابع گرین غیرتعادلی (NEGF) و تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) توسط کد محاسباتیTRANSIESTA ، خواص ترابردی نانوروبان های گرافنی زیگزاگ و آرمچیر بررسی شده است. نتایج این مطالعات نشان می دهد در نانوروبان های گرافنی آرمچیر با تغییر الکترودهای نیمرسانا به الکترود های فلزی جریان در محدوده میکرو آمپر بدست می آید در حالیکه در نانوروبان های گرافنی زیگزاگ بدون تغییر جنس الکترود جریان در محدوده میکرو آمپر می باشد. بهترین مقدار جریان و همچنین بهترین میزان فیلترینگ، در نانوروبان های گرافنی آرمچیر مورد بررسی در ساختار پنج و در نانوروبان های گرافنی زیگزاگ مورد بررسی در ساختار سیزده بدست آمد. همچنین در بعضی از ساختار های مورد بررسی پدیده NDR مشاهده شد.