چکیده: اسپین‌ترونیک یکی از موضوعات محبوب در فیزیک ماده چگال، شیمی مواد و صنعت الکترونیک است. از دلایل محبوبیت این فن‌آوری مبتنی بر اسپین الکترون می‌توان به داشتن یک درجه آزادی بیشتر نسبت به سیستم‌های مشابه الکترونیکی، طولانی بودن همدوسی یا زمان واهلش اسپین نسبت به بار اشاره کرد. در این پژوهش از بین نیمرساناهای گروه III–V، گالیوم نیترید بدلیل داشتن دمای کوری بالای دمای اتاق و گاف نواری بزرگ به عنوان ماده مورد بررسی انتخاب گردید. سعی ما در این پژوهش یافتن ساختارهایی با ویژگی ‌مناسب برای استفاده در مطالعات ترابردی بوده است. در قسمت اول خواص الکترونی، مغناطیسی نانو روبان خالص، دارای نقص و آلایش یافته GaN با عناصر واسطه(Cr, Mn , Fe, Ni ) ، با استفاده از رهیافت نظریه‌ تابعی چگالی قطبیده اسپینی و تقریب شیب تعمیم یافته GGAتوسط کد محاسباتی SIESTA مطالعه شده است و در قسمت دوم خواص ترابردی نانو روبان خالص با استفاده از رهیافت تابع گرین غیر تعادلی و تقریب شیب تعمیم یافته GGA توسط کد محاسباتی TRANSIESTA بررسی شده است. نتایج بررسی‌های مغناطیسی و الکتریکی حاصل نشان می‌دهد که حضور پیوندهای آویزان درون ساختار GaN بسته به محل پیوندهای آویزان و نظم لبه‌های ساختار موجب بروز خاصیت نیم فلزی ذاتی، فلز مغناطیسی و نیمرسانای مغناطیسی می‌گردد. و مطالعه خواص ترابردی نشان می‌دهد که بیشترین جریان‌ مربوط به اسپین پایین در نانوساختارهای زیگزاگ و بطور مشخص در قطعه نوع یک برای ولتاژ 0/75 با جریان 27 میکروآمپر بوده و بهترین فیلترینگ مربوط به قطعه‌ی نوع پنج و شش با فیلترینگ 100% در ولتاژ 0/25 ولت می‌باشد. در قطعات نوع یک، چهار، پنج و شش پدیده مقاومت دیفرانسیلی منفی (NDR ) مشاهده گردید، که بهترین NDR مربوط به قطعه نوع یک و شش می‌باشد. براساس نتایج این پژوهش، امکان دست یابی به جریان میکروآمپری و 100% قطبیده‌ اسپینی از ساختار نانوروبان گالیوم نیترید خالص بدون به کارگیری آلایش مغناطیسی یا اعمال ولتاژ گیت وجود دارد.