چکیده: آلیازهای III-V دارای N مانند GaInNAs در سالهای اخیر به علت کاربردهای بالقوه شان در صنعت اپتوالکترونیک بر پایه GaAs و با فعالیت در محدوده مادون قرمز مورد توجه زیادی قرار گرفته اند. از جمله این کاربردها می توان استفاده از آتن در ساخت سلولهای خورشیدی، لیزرهای با کاواک عمودی و همچنین دیودهای لیزری با راندمان نوری بالا و گسیل در محدوده طول موجهای 1/3-1/55 میکرون که در ارتباطات مخابراتی از طریق فیبرهای نوری مناسب می باشند را ذکر نمود.... برای مشاهده ادامه چکیده به فایل پیوست رجوع کنید.