چکیده: در این مقاله روش های مختلف در زمینه تعیین ترازهای انرژی نوار ظرفیت در چاه های کوانتومی مورد یررسی قرار گرفته است. به دلیل وجود حفره های سبک و سنگین در نوار ظرفیت محاسبه ترازهای انرژی در این نوار پیچیده تر از نوار رسانش است. از طرفی چاه های کوانتومی مورد مطالعه یعنی GaN/AlGaN به دلیل حضور میدان های پیزوالکتریک و خودبخودی از حالت مربعی به حالت مثلثی تغییر شکل می دهند که ما ضمن محاسبه ترازهای انرژی برای الکترون ها و حفره ها، انرژی گسیلی چاه GaN را با مقادیر تجربی حاصل از اندازه گیری های فوتولومینسانس مقایسه می کنیم. و همچنین در این مقاله رفتار ویژه اتمهای ایندیم در ساختار نیمرساناهای نیتروژندار بویژه InGaN مورد بررسی قرار می گیرد. رفتار اتم های ایندیم بویژه تمایل آنها به تجمع و ایجاد خوشه های ایندیم در آلیاژهایی از قبیل InGaN منجر به افت و خیزهای شدید پتانسیل در ساختار کریستالی InGaN می گردد که منشأ اصلی ایجاد جایگزیدگی در این ساختارها می باشد. تکنیک مناسب برای مطالعه این رفتار، طیف سنجی فتولومینسانس بر حسب تغییرات دمایی می باشد. تأثیر ایندیم در چاه های کوانتومی InGaN/GaN بمراتب بیشتر از تأثیر آلومینیم در چاه های کوانتومی GaN/AlGaN است، زیرا در چاه های کوانتومی InGaN/GaN ناحیه فعال(چاه) آلیاژ InGaN می باشد، در حالیکه در چاه های کوانتومی GaN/AlGaN آلیاژ AlGaN تشکیل دهنده ناحیه سد می باشد.