چکیده: مواد نیم رسانای آلی بی نظم به علت دارا بودن همزمان خواص اپتوالکترونیکی نیم رسانا از یک سو و خواص مکانیکی پلاستیک از سوی دیگر، اخیراً توجه بسیاری از پژوهشگران را به خود جلب کرده اند. جذب نور در مواد نیم رسانای آلی سبب برانگیختگی واحدهای ساختاری (مولوکول ها یا مونومرها) و در نتیجه تشکیل اکسیتون در این مواد می شود. مواد نیم رسانای آلی کاربردهای گسترده ای به عنوان مثال در سلول های خورشیدی و دیودهای نورگسیل یافته اند که در همه آن ها اکسیتون ها نقش اصلی را بازی می کنند. بنابراین برای بهبود کارآیی این ادوات اپتوالکترونیکی، فرآیند های مرتبط با ترابرد اکسیتون باید به خوبی شناخته شوند. در مواد نیم رسانای معمولی، با کمک مفاهیم لبه ی نوار رسانش و ظرفیت بسیاری از خواص نیم رسانا مورد مطالعه قرار می گیرد. اما در مواد نیم رسانای آلی بی نظم به علت بی نظمی از مفهوم قراردادی سطح ترابرد که معادل لبه ی رسانش است استفاده می کنیم. در این مواد مولکول های ماده بستر و جایگاه های ترابرد را فراهم می کنند و فونون ها نقش بزرگی در جبران تفاوت انرژی جایگاه ها ایفا می کنند. ضریب پخش مهم ترین کمیت در توصیف ترابرد اکسیتون است. در پایان نامه حاضر از شکل گاوسی چگالی حالت ها و نرخ میلر-آبراهامز برای محاسبه ضریب پخش اکسیتو های اسپین سه گانه استفاده شد و با تعمیم مدل های موجود برای ترابرد اکسیتون یگانه به اکسیتون سه گانه، مشخصه های مختلف دخیل در ترابرد مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان می دهند که ضریب پخش به دما، بی نظمی سیستم و طول جایگزیدگی اکسیتون ها وابستگی دارد. همچنین مشاهده شد که این کمیت وابستگی زمانی نیز داشته و به علت واهلش اکسیتون ها در فضای انرژی، در طول زمان افت پیدا می کند. در کارهای پیشین این وابستگی زمانی و تحول غیرتعادلی در نظر گرفته نشده است. در نهایت با استفاده از ضریب پخش وابسته به زمان، مسئله نابودی اکسیتون های سه گانه با استفاده از نظریه اسمولوکوفسکی مدل-سازی شد. نتایج حاصل نشان می دهد که این مدل به خوبی می تواند داده های تجربی و نتایج شبیه سازی های مونت کارلو را بازتولید کند.