چکیده: مواد نیمرسانایِ آلیِ بی نظم دارای خواص الکترونی ویژه ای هستند که سبب بکارگیری وسیع آنها در ساخت ابزارهای اپتوالکترونیک شده است. ترابرد اکسیتون های جایگزیده، که با جذب فوتون در این مواد به وجود می آیند، اخیرا مورد توجه بسیاری قرار گرفته است. گرچه اکسیتون تولید شده می تواند اصطلاحا اسپین-یگانه یا اسپین-سه گانه باشد، در مواد نورگسیل فسفرسانس، که در این پایان نامه مورد بررسی قرار گرفته اند، اکسیتون اسپین-سه گانه جمعیت غالب بوده و نقش نورتابی را به عهده دارد. اکسیتون هایی که در ماده ترابرد پیدا می کنند ممکن است در برخورد با اکسیتون دیگر نابود شوند که به این پدیده نابودی سه گانه-سه گانه می گویند. از آنجا که نابودی سه گانه-سه گانه به عنوان یکی از عوامل موثر بر کاهش بازدهی ابزارهای اپتوالکترونیکی شناخته شده است، به منظور بهبود عملکرد این ابزارها باید کمیت هایی که باعث افزایش نرخ نابودی سه گانه-سه گانه می شوند کنترل گردند. در این پایان نامه برای بررسی چگونگی تغییر این کمیت ها از شبیه سازی مونت کارلوی جنبشی استفاده کرده و با شبیه سازی ترابرد اکسیتون در ماده، عوامل موثر بر ضریب پخش و نابودی اکسیتون ها را مورد مطالعه قرار داده ایم. در این شبیه سازی ها، برای شعاع فورستر که از عوامل مهم تعیین نرخ نابودی است، در تطابق با گزارش های تجربی از سه مقدار 3 و 4 و 5 نانومتر استفاده شده است. همچنین، شبیه سازی ها در چگالی های اولیه اکسیتونی 0/011 nm^(-3) و 0/008〖 nm〗^(-3) انجام شده که متناظر با شرایط کاری یک دیود نورگسیل در تابندگی بالا است. وجود بی نظمی انرژی دیگر عاملی است که در این پایان نامه مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین برای قرارگیری مولکول-های رنگدانهِ نورگسیل در سیستم سه مدل طراحی و پیشنهاد شده است: مدل Ags ( همه مولکول های رنگدانه بدون تجمع قرار گرفته اند)، Rnd (قرارگیری کاتوره ای بدون تجمع) و Agg (مولکول ها در همسایگی هم تجمع پیدا کرده اند). با شبیه سازی تجمع مولکول های رنگدانه مشابه نمونه های تجربی آزمایشگاهی، این امکان فراهم شد تا به بررسی کمی اثر تجمع مولکول ها بر راندمان فرآیند فسفرسانس بپردازیم. بدین وسیله، به عنوان یکی از یافته های اصلی این کار، این نتیجه حاصل شد که با کنترل تجمع مولکول های رنگدانه، می توان راندمان سیستم های نورگسیل آلی فعلی را تا 16 درصد افزایش داد.