چکیده: در این پایان نامه لایه های نازک سولفید روی (ZnS) با استفاده از روش سل- ژل چرخشی و غوطه وری آماده شده اند. به منظور بدست آوردن شرایط بهینه ی رشد لایه های نازک ZnS پارامترهای نوع انباشت، تعداد دور چرخش در سل - ژل چرخشی و فرایند بازپخت مورد بررسی قرار گرفتند. بعد از رسیدن به شرایط بهینه و حصول نمونه هایی با کیفیت بالا، تأثیر پارامترهایی همچون نوع زیرلایه ، pH محلول اولیه و میزان آلایش با عناصر مس و منگنز بر خواص اپتیکی و ساختاری لایه-های نازک سولفید روی مورد بررسی قرار گرفت. از روش سوان پل علاوه بر تخمین ضخامت، برای محاسبه و تخمین برخی پارامترهای اپتیکی همچون ضریب شکست، ضریب خاموشی، گاف نواری اپتیکی، قسمت های موهومی و حقیقی ثابت دی الکتریک و نیز رسانندگی اپتیکی نمونه ها استفاده شده است. هم چنین از آنالیزهای XRD وFESEM برای مشخصه یابی ساختاری و بررسی مورفولوژی سطح نمونه ها استفاده گردیده است. نتایج این مطالعات نشان داد که شرایط بهینه برای رشد لایه های نازک ZnS عبارتست از: 1) استفاده از روش سل - ژل چرخشی به جای به کارگیری روش غوطه وری؛ زیرا که این روش نسبت به روش غوطه وری نمونه های یکنواخت تر و دارای ضخامت کمتری بدست می دهد. 2) استفاده از تعداد دور rpm 2000 در رشد به روش سل - ژل چرخشی، که نسبت به دورهای rpm1500 و3000 نمونه های با کیفیت بالاتری بدست می دهد. 3) بازپخت نمونه ها طی 5 مرحله و تحت دمای 400 درجه ی سانتی گراد بعد از هر مرحله لایه نشانی که منجر به یکنواختی بیشتر سطح نمونه ها می گردد. در حالی که نمونه های تهیه شده تحت شرایط مختلف همگی دارای ساختار آمورف بودند، تغییر در نوع زیرلایه و انتخاب بهترین pH برای تهیه ی محلول، منجر به بروز بلورینگی در ساختار نمونه ها شد. افزایش درصد آلایش نمونه ها با عناصر واسطه ای همچون منگنز و مس، علاوه بر تحت تأثیر قرار دادن خواص اپتیکی نمونه ها، باعث کوچکتر شدن اندازه ی دانه ها شده است.