QC154: محاسبه تحرک پذیری الکترونی در نیمرسانای با گاف نواری مستقیم InAs در حد میدان های الکتریکی ضعیف
پایان نامه > کتابخانه مرکزی دانشگاه صنعتی شاهرود > فيزیک > مقطع کارشناسی ارشد > سال 1384
پدیدآورندگان:
امیر مسعود صادقی [پدیدآور اصلی]، هادی عربشاهی [استاد راهنما]، محمد ابراهیم قاضی[استاد راهنما]
چکیده: هدف این پایان نامه محاسبه تحرک پذیری الکترون در نیمرساناهای با گاف نواری مستقیم در حد میدان های الکتریکی ضعیف با حل معادله ترابری بولتزمن به کمک روش تکرار می باشد. این کار به طور خاص برای نیمرسانای InAs انجام پذیرفته است. فرض بر این است که در حد میدان های الکتریک ضعیف تنها الکترون واقع در دره مرکزی گاما در ترابری الکترون ها سهیم هستند و.... برای مشاهده ادامه چکیده به فایل پیوست رجوع کنید.
کلید واژه ها (نمایه ها):
#ندارد

دانلود نسخه تمام متن (رایگان)

دانلود داده باز (JSON)
اطلاعات این صفحه به عنوان داده باز علمی منتشر شده است. استفاده، بازنشر، پردازش، تحلیل و بهره‌برداری پژوهشی، آموزشی و صنعتی از اطلاعات با ذکر منبع «دانشگاه صنعتی شاهرود» مجاز است.
محل نگهداری: کتابخانه مرکزی دانشگاه صنعتی شاهرود
یادداشت: حقوق مادی و معنوی متعلق به دانشگاه صنعتی شاهرود می باشد.
تعداد بازدید کننده:
پایان نامه های مرتبط (بر اساس کلیدواژه ها)