چکیده: مواد دوبعدی مانند گرافن جزو مهمترین دسته از مواد هستند که داشتن ویژگی هایی مانند استحکام مولکولی بسیار بالا، رسانایی بسیار خوب در برابر گرما و الکتریسیته و جذب نور بسیار بالا در آن ها امکان پذیر است. گسترش ساختار در کانال نانوافزاره در راستای عمود بر ترابرد موجب به وجود آمدن آثاری مانند پاشیدگی می شود. بیشترین اثرگذاری پاشیدگی با گسترش غیریکنواخت ساختار دوبعدی، وجود نقص و ناخالصی در مولکول های تشکیل دهنده آن ایجاد می شود. افزاره های نیم رسانای مولکولی معمولا با توابع گرین مدل سازی می شوند. با گسترش ساختار محاسبات آن به دلیل افزایش اتم ها، پیچیدگی بسیار زیادی در حل ماتریس های گرین پیدا می کند که از ابررایانه های پیشرفته برای حل آن استفاده می شود. در این پژوهش ساختار مولکولی یک نانونوار گرافنی که کانال آن با ساختار آرمچیر و الکترودهای آن با ساختار لبه زیگزاگ در نظر گرفته شده است را توسط مدل تابع گرین نامتعادل و گنجاندن اثر پاشیدگی در آن با نظام ترابرد همدوس مدل سازی و شبیه سازی کرده ایم. عرض کانال در محدوده افزاره از 7/1 نانومتر تا 1/16 نانومتر به صورت نامتقارن گسترش یافته است. شبیه سازی ها با دو مدل، با در نظر گرفتن اثر پاشیدگی و بدون اثر پاشیدگی صورت گرفته است. مقایسه نتایج نظری با اندازه گیری های تجربی نشان می دهد گنجاندن مدل پاشیدگی در تابع گرین منجر به کاهش خطای شبیه سازی در ساختارهای با عرض زیاد از 89 درصد به 9 درصد می شود. بهبود استفاده از مدل با پاشیدگی در کانال های با عرض 7 نانومتر به بالا مشهود است و تا قبل از آن به دلیل پایین بود اثر پاشیدگی می توان از آن صرف نظر کرد.