چکیده: در این پژوهش، فرایند حکاکی پلاسمایی صفحه گرافن لایه نشانی شده بر روی زیر لایه SiO2 بررسی می شود. صفحه گرافن تحت بمباران یون های اکسیژن قرار گرفته و شبیه سازی با روش دینامیک مولکولی با استفاده از نرم افزار لمپس انجام می شود. در این شبیه سازی، با هدف بررسی تاثیر انرژی یون های فرودی بر فرایند حکاکی صفحه گرافن، انرژی یون ها به ترتیب از 3 تا eV 12 تغییر داده می شود. همچنین شارذرات فرودی بین دو مقدار تغییر می یابد. . نتایج حاصل، نشان می دهد که با افزایش انرژی یون های بمباران کننده از 3 تا eV 12، تعداد و اندازه حفره های ایجاد شده در صفحه گرافن افزایش می یابد. میزان آسیب سطح گرافن را با تعریف پارامتر آسیب (Db) به عنوان کسری از پیوندهای C-C شکسته در صفحه گرافن، تعیین کردیم. مقدار این پارامتر در انرژی و فلوهای مختلف برای صفحه گرافن، بین 0 و 1 بوده است. نتایج حاصل نشان داده که با افزایش انرژی یون های بمباران کننده از 3 تا eV 12 و همچنین افزایش شار یون ها از f0 (ورود 9 اتم اکسیژن) تا 2f0 (ورود 18 اتم اکسیژن)، تعداد و اندازه حفره های ایجاد شده در صفحه گرافن افزایش پیدا کرده است. بیشترین مقدار پارامتر آسیب در فلو f0 بین 0 و 0/04 و برای فلو 2f0 بین 0 و 0/06 بوده است. مقدار پارامتر آسیب بر حسب زمان، انرژی و فلو ذرات ورودی روند افزایشی داشته است. بررسی تابع توزیع شعاعی (RDF)، قبل و بعد از بمباران نشان می دهد که حکاکی موجب بی نظمی در ساختار گرافن شده است. نیز تعداد متوسط پیوندهای C-C در گرافن، با افزایش انرژی اتم های اکسیژن ورودی کاهش می یابد که خود نشانگر از بین رفتن پیوندهای کربن با افزایش انرژی است. همچنین، نتایج بدست آمده نشان می دهد که در انرژی eV 3 آسیب وارد شده به صفحه گرافن ناچیز است. لازم بذکر است که در این شبیه سازی که در آن از میدان نیروی Reax استفاده شده است، شاهد تشکیل گونه های O2، CO، CO2، C2O2 و CO3 بوده ایم.