چکیده: در این مطالعه ابتدا لایه های نازک نانوساختار ZnTe خالص و آلائیده با مس به روش تبخیر حرارتی تهیه شدند و سپس خواص ساختاری و اپتیکی این نمونه ها مورد بررسی و تحلیل قرار گرفت. خواص ساختاری و مورفولوژی سطح نمونه ها به ترتیب با استفاده از دستگاه های تفرق سنج پرتو ایکس(XRD) و میکروسکوپ الکترونی روبشی( FESEM)، ارزیابی شدند. خواص اپتیکی نمونه ها نیز از اندازه گیری طیف های عبور و بازتاب به کمک یک دستگاه UV-VIS بررسی شدند. بررسی خواص ساختاری لایه های نازک ZnTe خالص و بازپخت شده در دمای 0C150 به مدت یک ساعت در خلا نشان داد که ساختار بلوری نمونه ها مکعبی بوده و کیفیت ساختار بلوری نیز قبل از بازپخت از خلوص بیشتری برخوردار و اندازه متوسط بلورک ها نیز بعد از عملیات بازپخت افزایش و تراکم دانه ها نیز بیشتر شدند. میزان عبور و گاف نواری نمونه ها نیز پس از عملیات بازپخت به صورت محسوسی افزایش یافتند. ضرایب خاموشی و شکست نیز تحت عملیات بازپخت به ترتیب کاهش و افزایش یافتند. رفتار قسمت حقیقی و موهومی ثابت دی الکتریک نمونه ها در توافق با ضرائب شکست و خاموشی آن ها بودند. در بررسی اثر دمای زیرلایه(0C 27، 0C 100 وC0150 ) در کیفیت ساختاری و اپتیکی نشان داد که افزایش دمای زیرلایه باعث بهبود بلورینگی نمونه ها شده و گاف نواری نمونه ها نیزکاهش می یابد. ضرایب خاموشی و شکست این نمونه ها با افزایش دمای زیرلایه افزایش یافتند. در بررسی اثر فاصله زیرلایه تا منبع بر روی ساختار بلوری و خواص اپتیکی نمونه ها مشخص گردید که با افزایش فاصله زیرلایه تا منبع همان گونه که انتظار می رود ضخامت لایه ها کاهش، بلورینگی افزایش و میزان عبور نیز افزایش می یابد. گاف نواری نمونه های تهیه شده نیز با افزایش فاصله افزایش یافت. بررسی اثر ضخامت لایه ها بر روی خواص ساختاری و اپتیکی لایه ها نشان داد که با افزایش ضخامت ساختار بلورینگی خود را از دست داده و آمورف می شود. همچنین همان گونه که انتظار داشتیم میزان عبور و گاف نواری لایه ها با افزایش ضخامت کاهش یافتند. رفتار ضرایب خاموشی، شکست و ثابت های دی الکتریک حقیقی و موهومی لایه ها نیز مورد بررسی قرار گرفتند. بررسی اثر آلایش مس (وزنی 8% ، 4% و 2%) بر روی خواص ساختاری و اپتیکی لایه ها نشان داد که با افزودن ناخالصی مس اندازه بلورک ها افزایش و ثابت شبکه بلوری کاهش می یابد، همچنین میزان عبور و گاف نواری نمونه ها با افزودن ناخالصی و افزایش آن کاهش یافتند. میزان بازتاب از سطح لایه ها نیز با افزایش ناخالصی مس افزایش یافت.ضرایب شکست و خاموشی و قسمت حقیقی و موهومی ثابت دی الکتریک لایه ها نیز با افزایش ناخالصی مس افزایش یافتند.