چکیده: از آنجا که کوچک‌سازی فن‌آوری CMOS با محدودیت‌های فیزیکی مواجه است، فن‌آوری QCA که در ابعاد مولکولی پیادەسازی شده، در دمای اتاق و با سرعت بالا کار می‌کند، یک جایگزین مهم و جدی است. در این پژوهش، اثر لبەای میدان الکتریکی الکترودهای ورودی بر روی یک سیم مولکولی QCA، که وظیفەی انتقال اطلاعات از الکترودها را برعهده دارد، مورد مطالعه قرار دادەایم. الکترودها و سیم، خود بر روی زیرلایەی Si/SiO2 قرار دارد که جزئیات هندسی و خواص دی الکتریک تمام اجزای ساختار ورودی، در شبیەسازی اثر لبەای لحاظ شده است. اولین سلول در سیم QCA تحت تأثیر میدان الکتریکی شکاف الکترودها قرار می‌گیرد و قطبیت را به سایر سلولهای سیم انتقال می‌دهد. به خاطر اثر لبەای الکترودها، قطبیت سایر سلول‌ها، هم تحت تأثیر میدان الکتریکی قرار گرفته و احتمال خطا افزایش می‌یابد. در این پژوهش، میدان الکتریکی الکترودها، به ازای جاروب ولتاژ الکترودها از ۰ تا ۱٫۵ V محاسبه شده است. این مطالعه نشان می‌دهد که میدان الکتریکی لبەای با افزایش ولتاژ الکترودها، با نسبت مشخص، افزایش می‌یابد. نتایج حاصل از شبیەسازی میدان الکتریکی لبەای، در مدل سیم مولکولی QCA، وارد شده است. در این مدل، اثر میدان الکتریکی خارجی، سلول‌های مجاور و انرژی تونلزنی برای هر سلول محاسبه می‌شود و در هم‌تنیدگی میان سلولهای تک الکترونی، لحاظ شده است. قطبیت تمام سلول‌ها، انرژی کینک و عدم قطعیت به کمک مکانیک کوانتومی، محاسبه می‌شود. نتایج حاصل از اعمال اثر لبەای، با وضعیت بدون لبه یا همان حالت ایدەآل، مقایسه شده است. این پژوهش نشان می‌دهد که انتخاب الکترودهای بزرگ برای سیستم ورودی QCA منجر به افت شدید قطبیت سلول‌هایی میشود که علامت قطبیت آنها، خلاف جهت میدان الکتریکی است. علاوه بر این، انتخاب مولکول‌هایی که انرژی تونلزنی آنها مابین ۵۰ تا ۱۰۰meV است، برای داشتن قطبیت قابل قبول، همزمان با پایداری سیم، ضروری است.