چکیده: با پیشرفت های اخیر در الگوریتم های ارتباطی دیجیتال و پاسخگو نبودن قانون مور برای همیشه در ساخت افزاره های میکروالکترونیک، یک نیاز اساسی برای افزاره های پیشرفته، مدارها و سیستم ها از نقطه نظر سرعت، مصرف توان و اندازه وجود دارد. با علاقمندی طراحان و تولیدکنندگان به افزاره های محاسباتی در مقیاس نانو، در بین فن آوری های جدید، QCA برای پیاده سازی مدارهای دیجیتال با سرعت عملیاتی بالا و مصرف توان پایین ارائه شده است. این فن آوری یک راه حل در مقیاس نانو برای انجام محاسبات و انتقال اطلاعات را ارائه می دهد. مقادیر باینری را با موقعیت بارها در نقاط کوانتومی از یک سلول QCA نمایش داده و اطلاعات را به وسیله تزویج بین سلولی پردازش می کند. با توجه به اهمیت حافظه های RAM در سرعت سیستم های کامپیوتری، در فن آوری QCA ساختارها و پیاده سازی های مختلفی از حافظه RAM ارائه شده است. در این پژوهش یک ساختار جدید برای پیاده سازی نگهدارنده ی نوع D از سلول حافظه با استفاده از دروازه های T ارائه شده است. طرح پیشنهادی در نرم افزار QCA Designer پیاده سازی و عملکرد صحیح آن با نتایج شبیه-سازی بررسی شده است. تعداد سلول های نگهدارنده پیشنهادی 40 عدد، هفت ناحیه کلاک و مساحت آن 0.04میکرومتر مربع است و نسبت به ساختار دیگر نگهدارنده D پنجاه درصد کاهش یافته است. همچنین تاخیر نگهدارنده یک چهارم سیکل کاهش یافته است.سپس سلول حافظه بر مبنای نگهدارنده پیشنهادی و یک RAM 4×1 به روش چندلایه پیاده سازی و شبیه سازی می شود. سلول حافظه شامل 146 سلول QCA می باشد که در مقایسه با ساختار مورد مقایسه 11 عدد کاهش یافته است. مساحت سلول حافظه نیز0.18 میکرومتر مربع به دست آمده است.