چکیده: در گیرنده‌های رادیویی تقویت‌کننده‌های کم‌نویز معمولا اولین بلوک بعد از آنتن هستند و وظیفه آن‌ها تقویت سیگنال دریافتی از آنتن بدون افزودن هرگونه نویز و اعوجاج است. از مهم‌ترین مشخصه‌های مطلوب در یک تقویت‌کننده کم‌نویز می‌توان به بهره نسبتا بالا، توان مصرفی پایین، تطبیق مناسب امپدانس ورودی و خروجی و عدد نویز کم در آن‌ها اشاره کرد. در این پایان‌نامه به طراحی و شبیه‌سازی یک تقویت‌کننده کم‌نویز فراپهن‌باند با استفاده از روش حذف نویز پرداخته شده است. که در آن با استفاده از فیدبک مثبت در مسیر حذف نویز موفق شدیم توان مصرفی مدار را کاهش داده و بهبود دهیم. پس از آن کاهش بیشتر در توان مصرفی با تغییر ساختار به ساختار زیر یک ولت حاصل شد. در ادامه مدار را از نظر پایداری نیز بررسی کرده و پایداری مطلق آن نیز اثبات گردید. این تقویت‌کننده در فناوری TSMC 0.18µm CMOS با استفاده از نرم‌افزار Cadence-IC طراحی شده است. عدد نویز این ساختار نسبت به ساختار متداولی که گسترش دادیم حدود 2dB کاهش داشته و به حدود 3.6dB تا 4.5dB در فرکانس کاری 2GHz تا 12GHz رسیده است و در کل بازه فرکانسی تغییرات بسیار کمی دارد. بهره بیشینه این تقویت‌کننده حدود 17.25dBاست. ضمن این که پارامترهای S11و S22به ترتیب کمتر از -9.24dB و -9.74dB است و S12 کمتر از -28.5dBاست. هم‌چنین خطسانی این تقویت کننده (IIP3) برابر -3.42dBm شده است که نسبت به ساختار قبلی بهبود مناسبی داشته است. توان مصرفی این ساختار نیز برای ولتاژ تغذیه 0.8v برابر 4.89mWشده است. هم‌چنین ساختار نهایی توسط نرم افزار Cadence-IC در فناوریTSMC 0.18µm RF-CMOS جانمایی شده و شبیه‌سازی بعد از جانمایی نیز انجام شده است. که نتایج حاصل حاکی از عملکرد مناسب تقویت‌کننده پیشنهادی است.