چکیده: در این پایان نامه مراحل مختلف طراحی، شبیه سازی، ساخت و اندازه گیری یک تقویت کننده کم نویز (LNA) با پهنای باند 100 تا 2500 مگاهرتز ارائه می شود. تقویت کننده به روش غیر مجتمع و بر روی مدار چاپی با استفاده از قطعات نصب سطحی (SMD) ساخته شده است. تقویت کننده طراحی شده یک طبقه است و یک ترانزیستور دوقطبی (BJT) در آن به کار رفته است. برای تخت شدن بهره در پهنای باند مورد نظر و همچنین افزایش پایداری از پس خورد منفی مقاومتی-خودالقایی استفاده شده است. برای فراهم کردن تطبیق بهتر در ورودی یک خودالقای سری و یک خازن موازی به عنوان شبکه تطبیق به کار گرفته شده است. برای تامین نقطه کار DC از Bias-T استفاده شده است. شبیه سازی به کمک نرم افزار ADS انجام گرفته است و نتایج نمونه ساخته شده به وسیله تحلیل گر شبکه اندازه گیری شده است. بهره توان به مقدار 17.4 دسیبل با تغییرات قله به قله 0.7 دسیبل و عدد نویز کمتر از 1.2 دسیبل از نتایج شبیه سازی بود. همچنین در شبیه سازی حداکثر تلفات بازگشتی ورودی در بازه بسامدی موردنظر حدود 11- دسیبل بدست آمد. نتایج اندازه گیری با نتایج شبیه سازی اختلاف داشت، به طوری که حداکثر بهره توان حدود 10 دسیبل شد و در بسامدهای بالاتر به صفر رسید. همچنین تلفات بازگشتی ورودی پیرامون بسامد 2100 مگاهرتز بهتر از نتایج شبیه سازی و در بسامدهای پایین تر، نامطلوب تر از شبیه سازی بدست آمد. همچنین یک فصل از پایان نامه به بررسی مفهوم کالیبراسیون تحلیل گر شبکه و de-embedding اختصاص یافته است و آزمایش هایی برای استخراج پارامترهای پراکندگی یک تک ترانزیستور به کمک تحلیل گر شبکه نیز انجام شد.