چکیده: برای مشکل حفاظتی تکنیک عیب‌یابی بر اساس اندازه‌گیری‌ های پارامترهای فتوولتائیک نظیر ولتاژ ، جریان ، شدت تابش ، دما و... مطرح می‌شود. در حال حاضر یکی از مشکلات الگوریتم تشخیص عیب در پنل سلول‌های خورشیدی عدم توانایی آن ها در شناسایی محل دقیق رویداد عیب در سیستم است. در این پژوهش به تشخیص و شناسایی مقاوم در برابر عیب در سیستم های فتوولتائیک با استفاده از روش H2/H∞ پرداخته ‌شده است . سیستم‌های واقعی همواره شامل نامعینی یا عدم قطعیت‌هایی می‌باشند که این نامعینی‌ها می‌تواند ناشی از عدم قطعیت در حضور اغتشاش باشد . برای نشان دادن کارایی این روش تفاضل خروجی سیستم را با خروجی مدل که سیگنال باقیمانده می‌باشد با استفاده از شبیه ‌سازی مشاهده و تحلیل کرده تا کارایی لازم را برای ادامه کار سیستم تضمین کند. هدف اصلی ارائه یک سیستم تشخیص و شناسایی عیب(FDI ) به روش مقاوم می‌باشد به‌گونه‌ای که تأثیر عیب روی مدل را بیشینه کند تا عیب را به ‌وسیله سیگنال باقیمانده تشخیص دهد و سیستم در مقابل اغتشاش مقاوم باشد تا به کار خود ادامه دهد. روش مقاوم با استفاده از ∞H2/H یکی از روش‌هایی است که کارایی سیستم را در حضور اغتشاش و عدم قطعیت‌های مختلف تضمین می‌کند.