چکیده: با توجه به توان مصرفی زیاد و روش‌های ساخت پرهزینه افزاره‌های سیلیکونی نانومقیاس، استفاده از مولکول‌ها به دلیل کوچک بودن و داشتن خواص قابل تنظیم، به عنوان مولفه اصلی در افزاره‌های الکترونیکی جایگزین شدهاند. یکی از موضوعاتی که مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته، دیود مولکولی تک مولکول است که مولکول مسئولیت انتقال الکترون‌ها از یک الکترود به الکترود دیگر را بر عهده دارد. در این پژوهش دیود تک‌مولکول، با استفاده از روش‌های تئوری تابع چگالی (DFT) و میدان خودسازگار (SCF)، به منظور محاسبه تزویج و بررسی رسانایی، شبیه‌سازی شده است. در این شبیهسازی ابتدا بر طبق روشDFT و با استفاده از نرم‌افزار گوسین، افزاره شبیه‌سازی و حالت‌ها و انرژی‌های مولکول در ولتاژ صفر به دست آمده است. سپس با استفاده از همیلتونی الکترودها و مولکول به دست آمده از روش هوکل و تبدیل سایت به حالت و فرمول طلایی فرمی، تزویج الکترود-مولکول محاسبه شده است. نتایج نشان می‌دهد که تزویج مولکولی وابسته به نوع الکترود و نوع مولکول، هندسه الکترود و همچنین فاصله الکترود و مولکول است. تزویجB۸۰-Au،C۶۰-Au، B۸۰-Ag وC۶۰-Ag برای یک الکترود تک بعدی و تعداد۵۰ اتم و به ازای فاصله ۵ آنگستروم به ترتیب برابر ۱۰۵، ۲۹، ۲۶ و۶ میلی ‌الکترون‌ولت است. همچنین به ازای تزویج الکترود مولکول ۸۰ B- طلا با افزایش تعداد اتم‌های طلا از ۱ به ۱۰۰ تزویج از ۵۰ به ۱۰۵ میلی‌ الکترون‌ولت افزایش یافت. ساختار هندسی الکترود در تزویج مؤثر است، به گونه‌ای که افزایش بعد‌های الکترود موجب افزایش تزویج میگردد. همچنین نوع الکترود نیز در تزویج مؤثر است به گونه‌ای که تزویج در الکترود طلا بیشتر از نقره است. تزویج الکترود- افزاره با فاصله رابطه دارد به نحوی که با افزایش فاصله از۵ آنگستروم به ۵/۵ آنگستروم، تزویج از ۰/۰۴ الکترون‌ولت به ۰/۰۰۲ کاهش یافته است. بعد از آنکه تزویج الکترود مولکول محاسبه شود از این تزویج که یکی از مهمترین پارامترهای مؤثر در انتقال الکترون محسوب می‌شود، در به دست آمدن منحنی های جریان- ولتاژ افزاره و رسانایی استفاده میگردد. شبیه‌سازی‌ها نشان می‌دهد که میدان اعمالی خارجی می‌تواند بسته به نوع مولکول موجب کاهش و یا افزایش تزویج و در پی آن کاهش و یا افزایش جریان و رسانایی شود.