چکیده: تکنولوژی MEMS در ساخت انواع ادوات الکترونیکی در زمینه های مختلف کاربرد دارد. از این جمله می توان ساخت سنسورهای مختلف در صنعت خودرو سازی ، ساخت سنسورهای Bio MEMS ، سنسورهای زیر آب و ... نام برد. یکی از زمینه هایی که این تکنولوژی به آن وارد شده است حوزه فرکانسهای بالا(RF) می باشد که با اسم RF MEMS شناخته می شود. در این حوزه ادوات مختلفی چون آنتن ، تشدیدگر ،نوسان ساز، فیلتر و ... ساخته می شوند. تشدیدگرها اصلی ترین بخش ساخت فیلترهای MEMS به حساب می آیند هرچند خود نیز عمل فیلتر را انجام می دهند و می-توان از آنها به عنوان فیلترهایی با پهنای باند کمتر نام برد. در این پایان نامه، تشدیدگری طراحی و شبیه سازی شده است که دارای محدوده فرکانسی UHF بوده و همچنین از ضریب کیفیت بالاتری نسبت به تشدیدگرهایی که تا کنون معرفی شده اند برخوردار می باشد. این ساختار نیز همانند دیگر تشدیدگرهای MEMS ، یک ساختار خازنی است که از دو بخش قابل حرکت و ساکن تشکیل شده است که این دو بخش با کنار هم قرار گرفتن، تشکیل خازن می دهند. بخش ساکن محل ورود سیگنال می باشد که باعث تحریک ساختار می شود.زمانیکه فرکانس سیگنال ورودی در محدوده فرکانس طبیعی بخش قابل حرکت قرار داشته باشد، این بخش شروع به نوسان کرده ، باعث تغییر فاصله هوایی شده در نتیجه خازن متغیری ایجاد می شود که موجب تولید جریانی هم فرکانس با سیگنال ورودی در خروجی خواهد شد. به عبارتی دیگر زمانی در خروجی سیگنال خواهیم داشت، که تغییرات خازن داشته باشیم و تغییرات خازن نیز با نوسان بخش قابل حرکت بوجود می آید که این نوسان نیز خود حاصل از قرار گرفتن فرکانس سیگنال ورودی در محدوده فرکانس طبیعی بخش قابل حرکت می باشد. بنابراین می توان گفت این ساختار در محدوده فرکانسی مشخصی به سیگنال ورودی اجازه عبور می دهد و در واقع آن را فیلتر می کند. اما فرکانس نوسان، دامنه جابجایی و ضریب کیفیت ساختار به جنس ، ابعاد و شکل هندسی ساختار وابسته است، بنابراین با تغییر این پارامترها می توان به فرکانس تشدید و ضریب کیفیت مناسب دست پیدا کرد. در این ساختارها اگر بتوان ضریب کیفیت بالای آنها را حفظ کرد، می توان با این نوع رزوناتورها فیلترهایی بسیار کوچک با بازدهی عالی و با هزینه کم درست کرد. در تشدیدگر ارائه شده از موادی استفاده شده است که دارای سرعت صوتی بالاتری در میان مواد قابل لایه نشانی می باشد. از طرفی شعاع ساختار را نیز کاهش داده ایم که این دو امر سبب بالا رفتن فرکانس تشدید ساختار تا 1/9 گیگا هرتز شده و همچنین با استفاده از دو جنس متفاوت برای بدنه اصلی و پایه ساختار، باعث ایجاد یک عدم تطبیق امپدانس شده و مانع از انتقال حداکثری انرژی به خارج از سیستم شده ایم که این کار باعث کاهش تلفات ناشی از پایه شده و ضریب کیفیت ساختار را افزایش داده است.