چکیده: در سالهای اخیر توجه به پدیده ترموالکتریک بخاطر جذابیت هایی که دارد افزایش قابل ملاحظه ای داشته است. در واقع از اوایل دهه ٩٠ میلادی بررسی این پدیده در ابعاد نانو و بهره بردن از نانو ساختارها نشان داد که هر چه به سمت ساختار هایی با ابعاد کم تر پیش برویم شاهد افزایش چشمگیر معیار شایستگی ترموالکتریکی خواهیم بود. مرور مطالعات پیشین نشان می دهد که طی سالهای اخیر تحقیقات در این زمینه به نتایج امیدبخشی منجر شده است. در تحقیق پیش رو خواص ترموالکتریکی یک سیم چاه کوانتومی مطالعه شده است. برای محاسبه ضرایب عبور الکترونی دستگاه از معادله ی لیپمن ‐ شوینگر و برای تعیین ضرایب ترموالکتریک از رهیافت لاندائور استفاده شده است . نتایج حاصل از محاسبات در نشان دهنده قشکاهشابعاد در افزایشمعیار شایستگی GaAs دستگاه سیم چاه کوانتومی است. بعلاوه نحوه تغییر در معیار شایستگی دستگاه با تغییردر دما ، انرژی فرمی و عرض سیم چاه کوانتومی بررسی شده است.