چکیده: مطالعه رسانندگی الکتریکی در نانوساختارها یکی از اساسی ترین مسائل در فیزیک نانوساختارها است. در سال‌های اخیر، علاقه و توجه فیزیکدانان بسیاری به رسانایی در سیم‌های کوانتومی و نقطه‌های کوانتومی معطوف شده است. در اکثر موارد برای محاسبه رسانندگی از روش لاندائور - بوتیکر استفاده می‌شود. این روش بیان می‌کند که رسانندگی یک سیستم تک کاناله در دمای صفر و بایاس صفر درست e2/h٢ برابر ضریب رسانش است. در این تحقیق اثر یک پتانسیل پراکندگی گوسی شکل ناشی از یک نقطه کوانتومی موجود در دستگاه سیم کوانتومی را بر روی ترابرد الکترونی سیستم مورد بررسی قرار داده‌ایم. به منظور مطالعه رسانایی چنین دستگاهی ابتدا می‌بایست به محاسبه ترابرد الکترونی آن در حضور ناخالصی که باعث پراکندگی الکترون‌ها می‌شود پرداخت. برای این منظور با استفاده از رهیافتی مبتنی بر روش لیپمن شوینگر به بررسی سیستم پرداخته و تابع موج آن را که در حضور ناخالصی شامل مجموع موج فرودی بعلاوه جمله‌ای که نشان دهنده پراکندگی است را محاسبه نموده‌ایم. سپس با استفاده از رابطه لاندائور بوتیکر که ارتباط بین رسانندگی و ضرایب عبور را بیان می‌کند، رسانندگی دستگاه محاسبه می‌شود. نهایتا با کمک محاسبات عددی به بررسی رسانندگی سیستم تحت تاثیر عواملی چون مکان ناخالصی، قدرت پتانسیل پراکندگی و ... پرداخته‌ایم.