چکیده: معیار شایستگی مواد ترموالکتریک، ZT، که کارایی آن ها را دریک دستگاه ترموالکتریک تعیین می کند، برای اکثر مواد کپه ای ( غیرنانویی ) پایین است. مواد در مقیاس نانو یکی از راه های امیدوارکننده برای افزایش معیار شایستگی ترموالکتریک است. در این تحقیق به بررسی تاثیر پراکندگی الکترون ها در حضور میدان مغناطیسی کوانتیزه کننده بر روی اثرات ترموالکتریکی پرداخته شده است. با استفاده از معادله ی لیپمن ‐ شوینگر ضرایب گذار دستگاه مورد مطالعه به دست آمد و در آخر با استفاده از رهیافت لاندائور ‐ بوتیکر ضرایب ترموالکتریکی به دست آورده شد. سیستم مورد مطالعه در این تحقیق گاز الکترونی دو بعدی در ساختار نامتجانس GaAs/AlGaAs بود. نتایج به دست آمده نشان دادند که میدان مغناطیسی،انرژی فرمی و مسافت آزاد میانگین فونونی باعث کاهش معیار شایستگی و دما باعث افزایش معیار شایستگی ترموالکتریک در دستگاه مورد مطالعه می شود.