چکیده: در این پایان نامه خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی فیلم های نازک کربن شبه‌الماسی که به روش کندوپاش مغناطیسی جریان مستقیم و فرکانس رادیویی همزمان لایه نشانی شده اند، مورد بررسی قرار گرفته است. اثر دو پارامتر تغییر توان و ولتاژ بایاس زیرلایه بر خواص لایه های نازک کربن شبه‌الماسی مورد ارزیابی قرارگرفت و نتایج نشان داد که این دو پارامتر تاثیر به سزایی بر خواص فیلم های کربن شبه‌الماسی داشته است. نتایج بررسی ساختاری توسط آنالیز رامان نشان می دهد که با افزایش توان جریان مستقیم در محتوای SP3 تغییر ایجاد نشده است ولی اعمال ولتاژ بایاس به زیرلایه ها در هنگام افزایش توان جریان مستقیم سبب افزایش محتوای SP3 شده است. افزایش توان فرکانس رادیویی سبب افزایش ساختار SP2 شده است در حالی که افزایش ولتاژ بایاس روند ثابتی برای اینگونه ساختار نشان نداده است. خواص اپتیکی فیلم ها که متاثر از نسبت SP3/SP2 در ساختار فیلم ها بوده است در هر مرحله مورد بررسی قرار گرفته است. ضریب شکست فیلم ها که به روش طیف سنجی بیضی سنجی به دست آمده است علاوه بر نسبت SP3/SP2 به میزان هیدروژن و پیوند های هیدروکربنی در ساختار فیلم ها مرتبط بوده است. مقاومت فیلم های لایه نشانی شده با استفاده از شیب منحنی جریان – ولتاژ (I-V) به دست آمده است که میزان نانو ذرات مس در فیلم ها و همچنین اکسیداسیون این نانو ذرات در سطح فیلم ها بر مقدار آن تاثیر گذار بوده است. از آنالیز طیف سنجی گسیل اپتیکی (OES) برای ارزیابی پلاسما ایجاد شده برای انجام فرآیند لایه نشانی و همچنین تاثیر گونه های فعال حاضر در فرآیند لایه نشانی بر ساختار فیلم ها مورد استفاده قرار گرفته است.