چکیده: یکی از عوامل مهم پایین بودن بازده سلولهای خورشیدی سیلیکونی عدم تطابق طیفی، انرژی فوتون های ورودی با گاف انرژی سلول خورشیدی می باشد. فوتون های با انرژی پایین تر از گاف انرژی، جذب نمی شوند و فوتون های با انرژی بالاتر، انرژی اضافه شان به صورت انرژی جنبشی جفت الکترون-حفره ی تولید شده در می آید و در نتیجه به صورت گرما هدر می رود. طیف فرابنفش بخشی از طیف گسیلی خورشید می باشد که انرژی زیادی دارد، انرژی این بخش از طیف فراتر از میزان گاف انرژی سیلیکون می باشد، از این رو این بخش از طیف با برخورد به سطح سلول خورشیدی سیلیکونی کامل جذب نمی شود و بخشی از انرژی فوتون فرودی به صورت گرما و فونون هدر می رود. در این تحقیق بر آن شدیم تا این بخش از طیف را توسط روشی به بخش قابل جذب تری از طیف که به محدوده ی گاف انرژی سیلیکون نزدیکترباشد، تبدیل کنیم. فسفر ماده ای است با خاصیت فتولومینسانس که می تواند پروتو های در محدوده ی طیف فرابنفش نور خورشید را جذب کند و در ناحیه ی مرئی و مادون قرمز نور گسیل کند، به همین دلیل در این پروژه از لایه های فسفر استفاده کردیم، بدین طریق که فسفر را توسط روش لایه نشانی تبخیر حرارتی فیزیکی روی سلولهای خورشیدی سیلیکونی لایه نشانی نمودیم. عمل لایه نشانی با ضخامت های مختلفی از فسفر تکرار گردید و در هر مرحله با مقایسه ی بازده سلول قبل لایه نشانی و بازده سلول بعد لایه نشانی شاهد افزایش بازده سلول بودیم. لایه های ضخیم تر فسفر بازده را به میزان بیشتری افزایش دادند، با لایه نشانی در ضخامت های بالاتر معلوم گردید افزایش بازده در ضخامت حدود 200 نانومتر متوقف می گردد و در لایه های ضخیم تر از 200 نانومتر تغییرات بازده روند نزولی دارد. طیف جذبی فسفر قبل و بعد از لایه نشانی اندازه گیری شد و معلوم شد فسفر مقداری از تابش را که در ناحیه ی فرابنفش قرار دارد جذب می کند. مشخصه یابی لایه های فسفر توسط برانگیزش فتولومینسانس انجام شد و معلوم گردید فسفر در محدوده ی مرئی و مادون قرمز گسیل دارد. آنالیز XRD از لایه های فسفر به عمل آمد و معلوم شد لایه های فسفر لایه نشانی شده ساختار بی شکل دارند. آنالیز SEM از لایه های فسفر به عمل آمد و معلوم گردید این لایه ها سطوح یکدست و یکنواختی ندارند و فسفر به صورت نقاطی مجزا از هم روی سطح سلول تجمع نموده است.