چکیده: در سالهای اخیر، نانوسیم‌های مغناطیسی با توجه به کاربرد فراوان آن‌ها در زمینه‌ی ساخت حافظه‌های مغناطیسی با چگالی بالا و مقاومت مغناطیسی بزرگ (GMR) آن‌ها مورد توجه بسیاری از دانشمندان و پژوهشگران قرار گرفته است. تاکنون نانوسیم‌های مغناطیسی مختلفی شامل نانوسیم های تک‌عنصری و آلیاژی مثل نانوسیم های NiFe مورد بررسی قرارگرفته است. برای ساخت نانوسیم ها، ابتدا قالب آلومینا توسط روش آندایز دومرحله‌ای آماده شد و سپس ساخت نانوسیم‌های آلیاژی آهن- نیکل با استفاده از روش الکتروانباشت مستقیم در قالب آلومینا با غلظت‌های متفاوت الکترولیت در دماهای مختلف صورت گرفت. در ابتدا با بهره‌گیری از میکروسکوپ الکترونی روبشی اثر میدانی (FESEM) ریخت‌شناسی قالب آلومینا و نانوسیم‌ها و با استفاده از پراش پرتو X (XRD) خواص بلوری نانوسیم ها مورد مطالعه قرار گرفت. درصدهای عناصر آلیاژ با آنالیز طیف‌سنجی فلورسانس پرتو X (XRF)و خواص مغناطیسی نانوسیم‌ها با مغناطیس‌سنج نمونه ارتعاشی(VSM) بررسی شد. تصاویر FESEM ثبت شده از سطح آلومینا متخلخل نشان داد که بهترین شرایط تخلخل در ولتاژ V25و دمای ℃ 11 و زمان h 3.5 می باشد. از الگوی پراش اشعه X نمونه ها مشخص شد که نانوسیم-های آلیاژی NiFe با ساختار مکعبی مرکز حجمی تشکیل شده است. با بررسی های انجام شده مشخص شدکه افزایش غلظت آهن و ثابت ماندن غلظت یون های نیکل در محلول الکترولیت سبب افزایش درصد اتمی آهن و کاهش درصد اتمی نیکل در آلیاژ می‌گردد. اندازه گیری های مغناطیسی روی دو سری از نمونه ها که در دماهای الکترولیت ℃ 30 و ℃ 60 رشد داده شده بودند، انجام گرفت. نتایج نشان می دهد که برای نمونه های رشد یافته در دمای محلول ℃ 30 ، مقادیر میدان وادارندگی،مغناطش اشباع و نسبت مربعی با افزایش غلظت یون های آهن افزایش می یابد. شبیه همین رفتار برای نمونه های رشد داده شده در دمای محلول ℃ 60 مشاهده شد. اما وقتی نانوسیم ها در دمای الکترولیت ℃ 60 ساخته می شوند، مقادیر Hc، Ms و S نسبت به مقادیر آن در دمای ℃ 30 کاهش می یابد.