چکیده: لیزر پلاسمونیک موجب تولید و تقویت پلاسمون‌های سطحی می‌شود. طول موج پلاسمونیک کمتر از طول موج فتون‌ها است، بنابراین مزیت لیزر پلاسمونیک در مقایسه با لیزرهای فتونیکی غلبه بر محدودیت پراش و انتشار نور در ابعاد کوچکتر است. مشکل اصلی لیزرهای پلاسمونیک تلفات زیاد فلز است که موجب کاهش طول انتشار پلاسمون‌های سطحی می‌شود. برای حل این مشکل، از ناحیه فعال برای ایجاد بهره و غلبه بر تلفات استفاده می‌شود. در این ساختار از پیوند p-n برای ایجاد شرایط وارونگی جمعیت استفاده می‌شود. ناحیه فعال در وسط آن قرار می‌گیرد و به دلیل جنس متفاوت نیمه‌هادی n و p با ناحیه فعال، اتصال ناهمگون در دو طرف ناحیه فعال ایجاد می‌شود که سبب حبس حامل‌ها در وسط ساختار و افزایش فرایند بازترکیب می‌گردد. پمپاژ استفاده شده در این ساختار از نوع الکتریکی است به دلیل اینکه پمپاژ نوری نیاز به یک موجبر یا لیزر بزرگ دارد و بنابراین فضای بیشتری را اشغال می‌کند. برای دو لایه نیمه‌هادی پیوند p-n از استفاده می‌شود و جنس نیمه‌هادی ناحیه فعال است. پیوند p-n در بایاس مستقیم و در تماس با فلز پلاسمونیک طلا قرار می‌گیرد. طول موج فضای آزاد برابر با ۵۵/۱ میکرومتر در نظر گرفته می‌شود که یک طول موج کاربردی در مدارهای فتونیکی می‌باشد و متناسب با طول موج فتون‌های آزاد شده از فرایند بازترکیب در نیمه‌هادی است. آیینه‌های دو طرف کاواک با درصد بازتابش ۱۰۰٪ و ۹۹٪ قرار می‌گیرند. ولتاژ بایاس اعمال شده بر ساختار برابر با ۲/۱ ولت است و ضریب جذب لیزر در این ولتاژ برابر با می‌باشد بنابراین بهره نوری لیزر پلاسمونیک با طول کاواک ۵۰ نانومتر برابر با بدست می‌آید. توان مصرفی لیزر در ولتاژ اعمالی برابر با ۱۲۰۰ میکرووات می‌شود و توان خروجی لیزر حاصل از شبیه سازی ساختار در نرم افزار سیلواکو برابر با ۶۰۰ میکرو وات بدست می‌آید. بنابراین بازده لیزر برابر با ۵۰٪ می‌شود.